本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供第一基底，第一基底包括第一衬底和依次层叠于第一衬底上的第一二维半导体层、第一绝缘层，提供第二基底，第二基底包括第二衬底和依次层叠于第二衬底上的第二二维半导体层、第二绝缘层，将第二...

本发明提供一种二维半导体堆叠器件结构及其制备方法，通过第一层间介质层与第二层间介质层键合工艺，实现了二维半导体器件的三维垂直堆叠，有效解决了传统二维半导体薄膜转移工艺中常见的有机残留物引入、材料褶皱和断裂等问题，从而显著增强了堆叠结构的...

本发明提供一种二维半导体堆叠器件的制备方法及结构，通过直接生长第一二维半导体层及第二二维半导体层的方式，实现了垂直堆叠结构构建，有效解决了传统二维半导体薄膜转移工艺中常见的有机残留物引入、材料褶皱和断裂等问题，从而显著增强了堆叠结构的完...

本发明提供一种通孔刻蚀方法，通过形成具有特定倾角α、底部宽度及厚度的灰度掩膜层，解决了现有技术角度调控不灵活、工艺窗口狭窄、角度容差大以及晶圆级刻蚀均匀性差的问题。通过调整掩膜层的倾角α，实现对通孔倾角β的连续调节和精确控制，从而显著提...