一种光电转换装置的形成方法，包括：提供P‑型半导体衬底；N‑型光电二极管掺杂区，P+型空穴累积区，N型电荷保持区，P型电荷阻挡区，位于栅极绝缘层上方的传输栅电极、倍增栅电极、读取栅电极，复位栅电极结构，悬浮掺杂区，包括N+型子悬浮掺杂区...

一种光电转换装置，包括：P‑型半导体衬底；N‑型光电二极管掺杂区，P+型空穴累积区，N型电荷保持区，P型电荷阻挡区，位于栅极绝缘层上方的传输栅电极、倍增栅电极、读取栅电极，复位栅电极结构，悬浮掺杂区，包括N+型子悬浮掺杂区和N‑型子悬浮...

一种图像传感器，包括：半导体衬底；溢出栅极结构，位于半导体衬底中，所述溢出栅极结构具有第一侧表面和相对于第一侧表面的第二侧表面；二极管掺杂区，位于所述溢出栅极结构的第一侧表面半导体衬底中；溢出漏区，位于所述溢出栅极结构的第二侧表面半导体...

一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅沟槽，在所述栅沟槽的底部和侧面形成溢出栅绝缘层，在所述溢出栅绝缘层上形成溢出栅电极，所述溢出栅绝缘层与所述溢出栅电极组成溢出栅极结构，所述溢出栅极结构具有第一侧表面...