本发明涉及一种双极型有机场效应管，包括衬底、栅极、栅介质层、N型有源层、P型有源层、源极和漏极，其中N型有源层和P型有源层并排交叉排列在源漏电极和栅介质层之间组成纵向叠层结构。该结构使N型有源层和P型有源层交界面处激子离解充分，提高有机...

本发明涉及一种桥式整流器，包括引线框(5)，该引线框(5)一端设有四个引脚插头，所述四个引脚插头中由两个边缘引脚插头(1、4)和两个中间引脚插头(2、3)组成，该两个边缘引脚插头(1、4)分别位于两个中间引脚插头(2、3)两侧，所述中间...

本发明涉及一种晶闸管芯片，包括硅片，硅片正反面分别设置有焊锡片；所述焊锡片的外表面设置有铜片。本发明解决了传统铁片散热慢，导通率低的问题，同时，解决了六角芯片尖端放电的问题，且同等体积下比六角芯片通流面积大，膨胀系数低。可广泛应用于晶闸...

本发明涉及一种半导体场效应管，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底底面设置有第一铝电极，所述第一铝电极上设置有B型衬底引线，所述P型硅衬底上表面两端设置有对称N型区，所述对称N型区上方分别设置有第二铝电极、第三铝电极，所述第二铝电极上设置有源...

本发明涉及一种集成电子三极管，包括三极管本体，其特征在于，集成电阻、二极管和一个三极管，其中电阻和反向偏置的二极管依次连接在三极管的基极与发射极之间，所述三极管的集电极为集成三极管的集电极，所述三极管的发射极为集成三极管的发射极，所述反...

本发明涉及一种语音合成集成电路，包括直流电源、第一电容、第二电容、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、按钮开关、第一二极管、第二二极管、扬声器、语音合成集成芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第...

本发明涉及一种晶闸管触发装置，其解决了现有晶闸管触发器结构复杂、调试困难、温漂大、抗干扰能力差的技术问题，其包括信号发生单元、单片机单元、信号处理单元和驱动执行单元。本发明广泛应用在晶闸管的触发上。

本发明涉及一种球形半导体激光器，包括基座、荧光层及玻璃层，所述基座上方设置有栅极一、栅极二，所述栅极一、栅极二之间设置有发射枪一、发射枪二，所述发射枪一、发射枪二之间设置有发射极安装座，所述安装座上设置有发射极，所述基座与荧光层及玻璃层...

本发明涉及一种微量振荡器，它由：台面、直角固定夹具、固定螺栓、夹具调节孔、橡胶缓冲条、控制台、底座、频率调节钮、电源开关、电源指示灯、时间调节钮构成。台面安装在控制台上，台面上装有直角固定夹具，直角固定夹具上开有夹具调节孔，夹具调节孔上...

本发明涉及一种半导体激光器，包括隔振平台和半导体激光器本体，所述隔振平台包括气垫式隔振平台、磁铁板块，所述磁铁板块设有两块，分别为第一磁铁板块和第二磁铁板块，所述第一磁铁板块的极性、形状和大小与所述第二磁铁板块的极性、形状和大小分别相同...