本技术公开了一种电池自适应电路，属于电池管理系统领域。本技术包括电池包、供电模块、AFE模块；本技术中，电池包串数在5‑24串之间，提供原始电压，之后通过供电模块，在电池包串数随机的应用场景下，使用最高节电池电压完成对AFE模块供电，从...

一种高精度低功耗的过温保护电路，包含启动电路、PTAT(Proportional To Absolute Temperature)电流源模块、CTAT（Complementary To Absolute Temperature）电流源模...

本发明涉及隔离器技术领域，尤其涉及一种基于边沿检测的低功耗二氧化硅绝缘栅数字隔离器，包括输入缓冲器、编码器、发射器、二氧化硅绝缘栅、接收器、译码器和输出驱动器。本发明在保证信号传输质量的同时，大幅降低了系统整体功耗，延长了待机时间，拓展...

一种低压状态下的过压欠压保护电路，包含过压保护模块和欠压保护模块，其中过压保护模块包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3...

一种高精度低功耗的过温保护电路，包含启动电路、PTAT(Proportional To Absolute Temperature)电流源模块、CTAT（Complementary To Absolute Temperature）电流源模...

本发明涉及隔离器技术领域，尤其涉及一种高瞬态共模抑制的隔离器接收端输入电路，包括依次电连接的一对差分高压隔离电容、直流共模偏置电路和瞬态共模干扰抑制电路，直流共模偏置电路包括一对偏置电阻和一个偏置电路，瞬态共模干扰抑制电路包括一对共模偏...

一种高压高精度的电流采样电路，包含功率管M1，第一NMOS管NM1，第二NMOS管NM2，第三NMOS管NM3，第四NMOS管NM4，第五NMOS管NM5，第六NMOS管NM6，第七NMOS管NM7，第八NMOS管NM8，第九NMOS管...

一种低功耗高压电平移位电路，包含第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第五MOS管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9，第一二极管D1，第二二极管D2，第三二极管...

本发明涉及电池的电压采样技术领域，尤其涉及一种支持高压输入的高精度共模转换电路，用于对串联电池组中的单节电池进行电压采样，包括第一差分输入电阻R

本发明涉及短路电流检测技术领域，尤其涉及一种可集成、阈值可变、自校准、高精度短路电流检测器，包括电流采样电阻R

本实用新型公开了一种低失调差分输出的电路结构，包含第一晶体管Q1，第一MOS管Q2，第二MOS管Q3，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第六电阻R6，第七电阻R7，第八电阻R8，第一电容C1，第二电容...

本发明公开了一种带负反馈的高压基准电路，属于集成电路领域，包含第一MOS管M

本发明公开了一种带负反馈的高压基准电路，属于集成电路领域，包含第一MOS管M

一种低功耗高压电平移位电路，包含第一MOS管M1，第二MOS管M2，第三MOS管M3，第四MOS管M4，第五MOS管M5，第六MOS管M6，第七MOS管M7，第八MOS管M8，第九MOS管M9，第一二极管D1，第二二极管D2，第三二极管...

一种解决因离散参数的器件，存在温漂、参数离散化等情况而无法对差分信号进行处理的电路结构，包含第一晶体管Q1，第一MOS管Q2，第二MOS管Q3，第一电阻R1，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第六电阻R6，第七电阻...

本实用新型公开了一种高压高边栅极驱动器，属于高压电源管理单元领域。本实用新型包括由MN2、MN3、MN4，MNL2、MNL3、MNL4，MP2、MP3、MP4和MPL2、MPL3、MPL4形成的电平转换模块；上拉晶体管MP1；下拉晶体管...

本实用新型公开了一种输入端失调电压可修调运算放大器，属于运算放大器领域，本实用新型包括第一MOS管MP1，第二MOS管MP2，第三MOS管MP3，第四MOS管MP4，第五MOS管MP5，第六MOS管MP6，第七MOS管MN1，第八MOS...