本发明属于辐射探测技术领域，具体涉及一种在晶体表面镀制像素化贵金属电极的方法和辐射探测成像元件。本发明提针对现有工艺中电极机械稳定性差、厚度不均及与光刻工艺兼容性差的问题，通过对碲镉化物晶片进行切割磨抛、Br‑MeOH 腐蚀、负胶光刻图...