本申请公开了一种光电共封装方法以及光电共封装结构，光电共封装方法包括：步骤S1，分别制备光子集成电路祼片、电子集成电路祼片和中介层晶圆，光子集成电路祼片具有光连接口；步骤S2，利用倒装芯片键合将光子集成电路祼片和电子集成电路祼片分别通过...

本申请提出了一种硅光芯片的制造方法和硅光芯片。该制造方法包括：在晶圆的衬底上沉积第一介质层；在所述第一介质层上沉积金属层，并将所述金属层刻蚀为反射镜结构；在所述金属层上沉积第二介质层；在所述第二介质层上沉积第二波导层，并将所述第二波导层...

本申请公开了一种二维光栅耦合器，包括依次连接的二维光栅、聚焦光栅和锥形波导：所述二维光栅，用于将近乎的垂直入射光转换成在波导层内传播的出射光；所述聚焦光栅，其方向平行于所述出射光的传播方向，所述聚焦光栅具有预设的占空比分布，使所述出射光...

本申请提出了一种硅光芯片，包括：衬底；介质层；以及第一光栅层、第二光栅层和第三光栅层；其中，所述第一光栅层与所述第二光栅层正交排布；所述第三光栅层用于以将未被所述第一光栅层和/或所述第二光栅层耦合的光信号反射回所述第一光栅层和/或第二光...

本申请公开了一种三五族化合物与硅异质集成的单光子雪崩二极管及其制备方法，制备方法包括：步骤S11，在硅晶圆上制备所述单光子雪崩二极管的PN结；步骤S12，对所述硅晶圆进行表面处理，然后将三五族化合物晶圆键合到所述硅晶圆上；步骤S13，对...

本申请提出了用于共封装光学的封装方法和封装结构。所述封装方法包括：在具有第一光学器件的晶圆上设置堤坝结构以包围所述晶圆的第一区域，并固化所述堤坝结构，所述第一光学器件位于所述第一区域内；在所述第一区域涂布第一固化胶；在所述堤坝结构外围的...

本申请提出了一种硅光芯片制备方法和硅光芯片。所述硅光芯片制备方法包括：在硅光晶圆上制备硅光栅结构，并在所述硅光栅结构上方制备氮化硅光栅结构；在所述氮化硅光栅结构上方制备第一介质层并平坦化；在所述氮化硅光栅结构上方制备金属互联层，将位于所...

本申请提供了基于硅与三五族化合物的光互连芯片及其制备方法。制备方法包括：步骤S1，在硅光晶圆上制备有源器件和无源器件；步骤S2，制备至少一个三五族外延晶圆，然后将三五族外延晶圆切割成三五族外延祼片；步骤S3，将三五族外延祼片与硅光晶圆进...