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英特尔公司专利技术
英特尔公司共有18493项专利
获得高Q值和低插入损耗的薄膜体声共振器的结构和制造过程制造技术
一种薄膜体声共振器形成在基片上。该薄膜体声共振器包括一层压电材料,其具有邻近该基片的第一表面和远离该基片的第二表面。沉积在压电材料的第一表面上的第一导电层包括具有在与第二部分相关的表面的不同平面上的表面。一种用于形成该器件的方法包括沉积...
薄膜体声波谐振器结构及其制造方法技术
一种薄膜体声波谐振器在具有主表面的衬底上形成。该薄膜体声波谐振器包括细长叠层。该细长叠层包括一个位于淀积在压电材料层的第一表面上的第一导电层和位于淀积在压电材料层的第二表面上的第二导电层之间的压电材料层。该细长叠层相对于衬底的主表面大致...
用于数字器件互连的装置、方法和网络制造方法及图纸
在某些实施方案中,具有某个特性阻抗的第一导线与某个数字器件相连,而也具有某个特性阻抗的第二导线与另一个数字器件相连。阻抗路径将两导线连接起来,并具有为第一导线特性阻抗的至少1/3的阻抗以及为第二导线特性阻抗的至少1/3的阻抗。还提出另外...
用于表面声波切换的微型机电装置和方法制造方法及图纸
揭示了用于表面声波(SAW)切换的微型机电系统(MEMS)装置和方法。该装置包括具有隔开的输入和输出SAW变换器的压电基板。MEMS开关设置于输入和输出SAW变换器之间。MEMS开关具有与基板之上或上方形成的一个或多个致动电极电磁连通的...
用依赖晶体取向的各向异性蚀刻在硅<110>片上进行薄膜体声谐振器的制作制造技术
在基底上形成的薄膜体声谐振器包括压电材料层,它具有夹在第一导电和第二导电层间的第一主表面和第二主表面。在其上形成薄膜体声谐振器的基底中有一个开口,该开口露出薄膜体声谐振器的第一导电层。开口基本上是平行四边形形状,具有第一对平行边和第二对...
使用有损积分器的多频带Gm-C状态可变滤波器制造技术
本发明提供了一种具有接收混频器信号的跨导滤波器(Gm-C滤波器)的基带电路。所述Gm-C滤波器包括有损积分器,其系数使得该滤波器所提供的滤波器频率响应基本上复制理想Gm-C滤波器的频率响应。
可编程滤波器制造技术
可编程滤波器可以实施无限冲激响应滤波器,从而使利用了该滤波器的收发机可以是可编程的,以根据一个或更多个通讯标准,以一个或更多个模式来工作。可编程无限冲激响应滤波器可以代替收发机的一个或更多个模拟滤波器,从而使期望的滤波器响应可以由基带处...
用于接收机均衡的装置、系统和方法制造方法及图纸
频率相关增益电路被耦合到放大器(402)的输出。响应于放大器的输出,所述增益电路提供至少两个频率相关增益特性(V#1-V#n)范围。控制电路提供所述至少两个增益值中的一个作为输出。
电子机械装置和其生产方法制造方法及图纸
本发明提供电子机械装置,例如,微电子机械系统(MEMS)装置,例如低损耗的薄膜腔声谐振器(FBAR)过滤器,和生产该装置的方法。为了避免膜的腔的污染,该污染影响MEMS装置的工作,本发明涉及MEMS薄膜腔声谐振器,其包括基部结构(102...
形成集成的多频带薄膜体声谐振器制造技术
可以使用光刻技术在同一集成电路上形成多带薄膜体声谐振器。结果,可以实现可再生产部件的大量生产,其中如此加工的谐振器被设计为具有不同频率。
频率稳定克服温度漂移的薄膜体声谐振器装置制造方法及图纸
薄膜体声谐振器(FBAR)包括夹在顶部电极和底部电极之间的压电薄膜。提供温度传感器以检测温度,从而为FBAR确定温度导致的频率漂移。操作上连接到温度传感器的电压控制器提供直流(DC)偏压给FBAR,以引入相反的电压导致的频率漂移,从而补...
可调谐滤波器、可调谐滤波器系统以及消除干扰信号的方法技术方案
本发明描述了一种有源带通滤波器的实施例。可以描述和要求其它实施例。
基于振荡器噪声的随机数发生器制造技术
本发明的实施例一般针对用于基于振荡器噪声的随机数发生器(RNG)的系统、方法和装置。在一些实施例中,RNG对受伪随机过程效应影响的两个独立振荡器的热噪声效应进行缓冲,并将热噪声与其它效应分离。然后,RNG可至少部分地基于数字信号处理算法...
薄膜体声谐振器(FBAR)的频率调谐制造技术
可在单晶圆上制造多个FBAR,以后再进行切割。理想情况下,在晶圆中形成的所有器件具有相同的谐振频率。然而,由于制造偏差,FBAR器件的频率响应在晶圆上可能略微改变。可产生RF分布图以便确定晶圆上的区域(50,52),其中那个区域中的FB...
语音通信的声频信号处理装置和方法制造方法及图纸
一装置接收包括人类可翻译的声频信息的信号。装置在本地检测声音并对其进行分析以确定是否存在间歇分量。如果存在间歇分量,则改变接收到的信号,使得声频信息在执行信号时更容易被人类翻译。装置可以是便携式电话。可以在例如音乐中检测到间歇分量。
具有交叉耦合的共源共栅晶体管的放大器电路制造技术
本发明的实施例提供差分对放大器电路,其包括交叉耦合的共源共栅晶体管。可以描述和要求保护其他实施例。
使开关切换电容器上共模输出电压与连续时间接口相匹配的方法和装置制造方法及图纸
一种使开关切换电容器上的共模输出电压与连续时间接口相匹配的方法与装置。在开关切换电容器级的输出上使用一个有效的连续时间求和电路,以导出开关切换电容器输出级上的共模电平,对导出的信号进行滤波,除去其中的噪声成分,然后用作连续时间级的参考共...
一个放大的高增益、很宽共模范围、自偏置运算放大器制造技术
一个放大的高增益、很宽共模范围、自偏置运算放大器包括由偏置晶体管和电流镜偏置的互补差动晶体管,并且还包括两个放大器,每个放大器被连接来偏置一个输出共射共基放大器晶体管以便提供一个很高的放大器输出阻抗,在其中偏置晶体管和电流镜经过负反馈被...
一个高增益、很宽共模范围、自偏置运算放大器制造技术
一个高增益、很宽共模范围、自偏置运算放大器,包括由偏置晶体管和电流镜偏置的互补差动晶体管,并且还包括共射共基放大器晶体管来提供一个高放大器输出阻抗,在其中,偏置晶体管、电流镜和共射共基放大器晶体管全部都经过负反馈被自偏置。
具有可选择增益的差分放大器制造技术
一种放大器电路,包括: 至少一个输入器件;以及 多个并联的负载器件,其中,所述多个负载器件的子集被构造成通过控制电路在电气上从所述放大器电路中被移去。
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