英诺赛科深圳半导体有限公司专利技术

英诺赛科深圳半导体有限公司共有13项专利

  • 本发明提供一种基于插脚封装的氮化镓芯片的驱动电路,包括:驱动模块、稳压模块和基于插脚封装的氮化镓芯片,基于插脚封装的氮化镓芯片包括栅极和开尔文源极,稳压模块包括第一稳压端和第二稳压端,驱动模块包括第一连接单元和第二连接单元,第一连接单元...
  • 本申请公开了一种氮化镓器件的测试电路及测试方法及计算机可读存储介质。氮化镓器件的测试电路包括第一电源模块,第一电源模块的正极与第一节点耦合,负极与第二节点耦合,第一电源模块提供第一电位的电压;测试模块,测试模块与第一节点、第二节点及第三...
  • 本发明公开了一种无桥PFC电路和具有其的电子元件,无桥PFC电路包括:第一浪涌吸收单元的第一端连接电源第一连接端,第一浪涌吸收单元的第二端连接电源第二连接端;第二浪涌吸收单元的第一端连接电源第一连接端,第二浪涌吸收单元的第二端连接电源第...
  • 本申请涉及半导体技术领域,提供一种半导体器件驱动电路
  • 本申请涉及一种变换电路
  • 本申请涉及整流技术领域,提供一种整流电路
  • 本发明提供同步整流电路及开关电源,涉及开关电源技术领域,同步整流电路包括:变压器包括原边绕组
  • 本发明提供一种功率晶体管驱动电路及
  • 公开了一种氮化物基电子装置,其具有控制端子、第一传导端子和第二传导端子。所述氮化物基电子装置包括:可以是晶体管的主切换元件、辅助切换电路和箝位电路。通过实施由本发明提供的所述箝位电路,不需要将大值电阻器直接与所述晶体管的栅极串联连接,对...
  • 提供一种开关模式电力供应器。所述电力供应器包含具有基于GaN的功率半导体晶体管和平面变压器的反激转换器。所述平面变压器包含磁芯以及初级和次级平面线圈绕组。所述磁芯具有被配置成接纳所述初级和次级平面线圈绕组的上部芯体和下部芯体。所述下部芯...
  • 本公开提供一种基于氮化物的功率转换器及其制造方法。所述基于氮化物的功率转换器包括:输入端口,其具有低电位端子和高电位端子;输出端口,其具有低电位端子和高电位端子;变压器,其具有电耦合到所述输入端口的初级绕组和电耦合到所述输出端口的次级绕...
  • 本公开提供一种用于控制氮化物基开关装置的电压尖峰吸收控制器。所述电压尖峰吸收控制器包含:电压调节器,其被配置成接收DC电源且产生已调节的DC电压;分压器,其被配置成接收漏极
  • 本公开提供一种基于氮化物的DC/DC功率转换器和一种包含所述DC/DC功率转换器的电子装置充电器。所述基于氮化物的DC/DC功率转换器包括:第一相位开关电容器电路和第二相位开关电容器电路,这两者并联地放置在输入端与输出端之间并且通过中间...
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