具有平面变压器的基于GaN的开关模式电力供应器制造技术

提供一种开关模式电力供应器。所述电力供应器包含具有基于GaN的功率半导体晶体管和平面变压器的反激转换器。所述平面变压器包含磁芯以及初级和次级平面线圈绕组。所述磁芯具有被配置成接纳所述初级和次级平面线圈绕组的上部芯体和下部芯体。所述下部芯体具有至少三个突起，包含两个外围突起，以及被所述初级和所述次级平面线圈绕组环绕的中心突起。所述中心突起和所述两个外围突起具有相同高度，使得当所述两个外围突起接触所述上部芯体时，所述下部芯体的所述中心突起和所述上部芯体之间不存在气隙。所述中心突起由铁粉制成，且所述两个外围突起由铁氧体材料制成。两个外围突起由铁氧体材料制成。两个外围突起由铁氧体材料制成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有平面变压器的基于GaN的开关模式电力供应器


[0001]本专利技术大体上涉及基于GaN的开关模式电力供应器。更具体来说，本专利技术涉及具有展现改进的电和磁特性的平面变压器的基于GaN的开关模式电力供应器。

技术介绍

[0002]开关模式电力供应器越来越多地在AC到DC功率转换器中以及电池充电应用(移动电子器件、电动车辆)中使用。开关模式电力供应器以转变过程中花费最少时间在完全接通和完全断开状态之间切换，这减少能量损耗。切换可在达到几MHz的高频率下发生；因此，可使用较小变压器和其它组件(例如，电容器、电感器)，从而允许减小电力供应器和功率转换器的总占用面积。
[0003]一种用于减小开关模式电力供应器中的变压器的大小的技术是通过使用平面变压器。在平面变压器中，变压器线圈通常使用印刷电路技术沉积在衬底上。线圈被配置成环绕磁芯以升高磁通量的水平。对于某些类型的开关模式电力供应器，使用带间隙的磁芯来避免电感饱和。然而，气隙可能导致漏磁通量线通过变压器线圈，使得生成涡流损耗，且系统效率降低。因此，在此项技术中需要具有拥有改进的磁和电特性的改本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种开关模式电力供应器，其特征在于，包括：反激转换器，其包含：基于GaN的功率半导体晶体管；平面变压器，其包含磁芯以及初级和次级平面线圈绕组；其中：所述磁芯包含被配置成接纳所述初级和次级平面线圈绕组的上部芯体和下部芯体；所述下部芯体具有至少三个突起，包含两个外围突起，以及被所述初级和次级平面线圈绕组环绕的中心突起；所述中心突起和所述两个外围突起具有相同高度，使得当所述两个外围突起接触所述上部芯体时，所述下部芯体的所述中心突起和所述上部芯体之间不存在气隙；所述中心突起由铁粉制成，且所述两个外围突起由铁氧体材料制成。2.根据权利要求1所述的开关模式电力供应器，其特征在于，所述初级和次级平面线圈绕组安置在一个或多个平面衬底上。3.根据权利要求2所述的开关模式电力供应器，其特征在于，所述一个或多个平面衬底包含一个或多个印刷电路板。4.根据权利要求1所述的开关模式电力供应器，其特征在于，所述初级平面线圈绕组在上侧和下侧由次级线圈绕组环绕。5.根据权利要求1所述的开关模式电力供应器，其特征在于，所述反激转换器进一步包含用于使供应到所述变压器的输入电压移位的箝位电路。6.根据权利要求1所述的开关模式电力供应器，其特征在于，所述反激转换器进一步包含用于在断开状态中存储来自所述变压器的功率的输出电容器。7.根据权利要求1所述的开关模式电力供应器，其特征在于，所述反激转换器进一步包含初级开关，所述初级开关电耦合到所述初级平面线圈绕组且经切换以允许或阻止电流流经所述初级平面线圈绕组。8.根据权利要求1所述的开关模式电力供应器，其特征在于，所述反激转换器进一步包含同步整流器，所述同步整流器电耦合到所述次级平面线圈绕组且经切换以允许或阻止电流流经所述次级平面线圈绕组。9.一种电子装置充电器，其特征在于，包含根据权利要求1所述的开关模式电力供应器。10.根据权利要求9所述的电子装置充电器，其特征在于，所述初级和次级平面线圈绕组安置在一个或多个平面衬底上。11.根据权利要求10所述的电子装置充电器，其特征在于，所述一个或多个平面衬底包含一个或多个印刷电路板。12.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹艳波，杜发达，陈钰林，汤超，
申请(专利权)人：英诺赛科深圳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：