本发明提供一种晶体管装置，包括一汲极层、一主体层、一源极N区、至少一沟槽及一掺杂区。汲极层具有第一导电类型，主体层设置在汲极层上方，且具有与第一导电类型相反的第二导电类型；源极N区设置在主体层内，且具有第一导电类型；沟槽穿过源极N区、主...

本发明提供一种金属氧化物半导体晶片装置，其包括一半导体基板，其中第一源极结构以及第二源极结构成对设置于半导体基板第一侧。汲极结构设置于半导体基板相对第一源极结构以及第二源极结构的第二侧上。第一通道结构设置其间并隔开第一源极结构及半导体基...