本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开了一种XBC电池激光图形化多图层变频方法。针对现有XBC电池激光图形化工艺中，因电池片扩散掺杂后不同区域掺杂膜层（BSG/PSG层）存在4‑10nm厚度差异，单图层固定激光参数导致边缘残留、中间...

本技术涉及粘毛滚筒领域，尤其涉及一种网版擦拭用粘毛滚筒。包括手柄、粘纸和滚筒本体，手柄一侧的截面呈“U”，手柄的两侧均转动穿设有转轴，滚筒本体的两端分别与两个转轴彼此靠近的一端固定连接，粘纸套设在滚筒本体的圆弧面上，手柄的上表面设有裁切...

本发明公开了一种IBC光伏电池烧结和退火的方法，涉及光伏电池制备技术领域，所述方法应用于浆料烧结和光注入退火一体化设备，具体包括：取金属化印刷后电池，依次进行烘干操作、烧结操作、第一光注入退火操作和第二光注入退火操作，所述光注入退火具体...

本发明公开了一种IBC光伏电池，涉及电池制备技术领域，包括硅基底，所述硅基底背面沿X轴正向设有第一掺杂区域、第一隔离沟槽G1、第二掺杂区域和第二隔离沟槽G2，所述硅基底背面沿Z轴反向设有第一掺杂区域、第三隔离沟槽G3、第二掺杂区域和第四...

本发明公开了一种BC电池半成品返工片清洗方法，涉及电池制备技术领域，包括：采用链式机对BC电池返工片进行正反两面刻蚀处理，将刻蚀后的返工片经重新抛光投料后投入后续正常生产工序，所述链式机进行正反两面刻蚀处理依次包括预处理槽处理、刻蚀槽处...

本发明公开了一种IBC光伏电池及其制备方法，涉及电池制备技术领域，包括硅基底，所述硅基底背面设有若干交替排布的背面第一掺杂区域、背面第二掺杂区域和隔离沟槽区域，所述隔离沟槽区域为沟槽隔离G区，所述IBC光伏电池的背面金属化电路图形采用无...

本发明公开了一种背接触电池结构及其制备方法，涉及电池加工技术领域，包括硅基底、第一半导体区域和第二半导体区域，所述第一半导体区域和第二半导体区域均包括第一隧穿氧化层、第一掺杂非晶硅层、第二隧穿氧化层、第二掺杂非晶硅层、钝化层、种子层和纯...

本发明公开了一种TBC电池提高poly钝化效果的方法，旨在解决传统LPCVD一步沉积i‑poly层与硼扩匹配性差、钝化效果不足的问题。该方法包括：在硅基底生长隧穿氧化层后，依次沉积三层差异化i‑poly层——前、后两层以低温低压形成致密...

本发明提供TOPCon电池的层结构、钝化膜结构及其制备方法，涉及TOPCon电池制备技术领域，包括硅基底，所述碳基底的上表面设置有正面硼扩散层，所述正面硼扩散层的上表面设置有正面氧化硅钝化层，所述正面氧化硅钝化层的上表面设置有正面氧化铝...

本发明公开了一种改善IBC光伏电池钝化的膜层结构及制备方法，涉及电池制备技术领域，包括硅基底，所述硅基底正面设有正面氧化硅钝化层、正面氧化铝层、正面氮化硅减反层，所述硅基底侧面设有边缘氧化硅钝化层、边缘氧化铝层、边缘氮化硅层，所述硅基底...

本发明公开了一种背接触电池表面结构及其制备方法，涉及电池制造技术领域，包括：预处理后进行粗抛、水洗和精抛，形成光滑大塔基；沉积隧穿氧化层和非晶硅，扩散引入硼元素，形成第一半导体掺杂区域和掩膜层BSG；掩膜层BSG激光雕刻图形，抛光图形形...

本发明公开了一种光伏电池片的刻蚀方法，涉及电池制造技术领域，包括：将硅片送入预处理槽，利用HF药液去除硅片正面和周边的磷硅玻璃层；将硅片送入刻蚀槽，利用混合药液对硅片进行刻蚀操作；将硅片送入水槽，利用去离子水去除硅片表面残留的混合药液；...

本发明公开了一种光伏电池的印刷网版图形结构及制备方法，涉及电池制造技术领域，包括正极主栅网版与正极副栅网版，正极副栅网版为四道正极副栅网版图形，正极主栅网版为三道正极主栅网版图形，四道正极副栅网版图形包括多条非边缘、非倒角区域的相互平行...

本发明公开了一种二极管结构的TBC电池及其制备方法，涉及TBC电池制备技术领域。该TBC电池包括硅基底，硅基底背面分为4个区域，沿X1到X2方向交替排布第120、130、140、150区域。沿Y1到Y2方向，150区域正上方140区域的...

本发明公开了一种新型Topcon光伏电池正面钝化膜的制备方法，涉及光伏电池技术领域，该制备方法包括：使用ALD设备沉积氧化铝钝化膜层；向ALD设备内部交替通入四氯化铪和臭氧，沉积二氧化铪膜层；调整通入PECVD设备的气体、气体流量和PE...

本发明提供一种半片IBC丝网印刷和定位拍照装置，属于丝网印刷技术领域；包括印刷机本体，所述印刷机本体的两个升降机端部分别安装有刮板和刮刀，刮板用于刮匀印刷膏。本发明通过设置刮条，在刮匀印刷膏的作业过程中，刮板与刮条的底部会共同与印刷机本...

本发明提供一种背接触电池表面结构的制备方法，涉及背接触电池技术领域，包括如下步骤：S1、对硅片表面进行双面抛光：先粗抛，去除硅片表面损伤层，再用酸和臭氧清洗，再精抛，而后用双氧水和碱的混合液清洗，再用臭氧和酸洗，而后用酸和双氧水混合液清...

本发明公开了一种防断栅TBC光伏电池、光伏组件和系统，涉及光伏电池制造技术领域，包括硅基底及其正面的第一钝化层、减反层，背面的隧穿层、掺杂层、第二钝化层和金属电极，所述金属电极包括主栅PAD、细栅电极和细栅防断栅，所述主栅PAD包括N区...

本发明公开了一种TBC电池背面金属化结构、TBC电池及组件，涉及TBC电池制备技术领域，包括设置在硅基底背面依次层叠的隧穿层、掺杂层、钝化层和金属电极，所述金属电极包括主栅PAD、细栅电极和喇叭口，所述主栅PAD包括相互隔离的N区主栅P...

本发明公开了一种改善XBC电池收集电流的方法，涉及电池制造技术领域，包括：采用丝网印刷机台的1道工序机位，在XBC电池基底表面印刷一层细栅，完成后进行烘干处理；采用2道工序机位印刷一层细栅，完成后进行烘干处理；采用3道工序机位印刷电极P...