一种用于集成电路的铜保险丝，包括有形成于一半导体基底上的两铜金属焊垫、一金属线及一保护层，所述两铜金属焊垫藉由该金属线电性连接，形成保险丝结构。所述保护层覆盖两铜金属焊垫，且形成有一可暴露出两铜金属焊垫一部分的开口。所述金属线覆盖所述保...

一种具有无边界接触窗的半导体元件，至少包含：一半导体基底；一氧化物层；一第一介电材料层，用以作为无边界接触窗的阻绝层；一闸氧化层与多晶硅层，用以作为半导体的闸极结构；一轻掺杂汲极；一第二介电材料层，用以作为闸极的间隔壁；一重掺杂离子植入...

本实用新型公开了一种半导体元件，包括一硅衬底，硅衬底上形成有栅极、源极和漏极，栅极和硅衬底之间形成有一层绝缘层，栅极由位于绝缘层上的多晶硅层和位于多晶硅层上的硅化钛层组成，硅化钛层上形成有保护层，保护层、硅化钛层、多晶硅层和绝缘层的周围...

一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，至少包含：一浅沟槽隔离区，形成于半导体基底内；一闸极，由多个闸氧化层及多晶硅层依序形成于所述半导体基底表面上方；一介电层，形成于闸极周围；二间隙壁，形成于闸极的侧壁，且该一闸极周围的介电层侧壁只...

本发明公开了一种红外线感测芯片，该红外线感测芯片包含：一晶圆基底、一图案化多晶硅层和一内联机单元。本发明利用材料的选择与结构设计令用以感测红外线的吸收层可以与晶体管单元用同一个集成电路制程一起制作，同时藉由空腔的高度控制令入射的红外线形...

本发明公开了一种远红外线传感器，该远红外线传感器包含：一晶圆基底、一内联机单元及一图案化吸收层。本发明利用材料的选择与结构设计令该用以感测远红外线的图案化吸收层可以与该晶体管单元用同一个集成电路制程一起制作，同时藉由该空腔的高度控制令入...