反向导电纳米阵列，可以包括：光电二极管结构，所述光电二极管结构具有基板、光吸收层和倍增层；以及光引导层，所述光引导层被沉积在所述光电二极管结构的顶表面上，并且经图案化以形成纹理化表面，所述纹理化表面用于在入射光进入所述光电二极管结构时改...

本发明涉及用于半导体制造过程中的扩散室及其扩散方法。通过扩散控制装置，使扩散源由点变成了和半导体样品平行的面，相当于使扩散源到样品每个区的距离一样，并可控制浓度高低和扩散深度，以在半导体制造过程中控制扩散通量；使扩散浓度和深度的均匀性大...