本发明公开了一种退火炉用温度测量控制模块，包括蒸汽动力式液体循环驱动机构、电辅助抽水组件、肋骨式冷却排组件、散热控流组件和储液箱体组件。本发明属于温度控制技术领域，具体是指一种退火炉用温度测量控制模块；本发明以吸收了炉内热量的蒸汽作为驱...

本发明涉及芯片制造中使用的一种槽阀装置，包括由顶板、底板、两侧的侧板和两端的端板围合而成的腔体，腔体两侧设有贯穿腔体的通道一和通道二，腔体内设有可升降的支撑架，支撑架朝向通道二一侧设有阀板，阀板表面设有密封圈，阀板和支撑架之间设有驱动阀...

本发明适用于半导体处理技术领域，提供了一种半导体晶圆激光切割装置及方法，在本申请中具体的通过设置第一螺杆带动滑座沿着收容槽移动，使得滑台沿着导轨在壳体内进出实现对晶圆进行上下料，进入到壳体内部时被位于壳体内部的激光头进行激光切割加工，其...

本发明公开了一种具有微孔膜蒸发源的真空沉积装置，包括蒸发源、供应单元、源存储单元和外壳，本发明涉及真空沉积技术领域。该具有微孔膜蒸发源的真空沉积装置，通过汽化的汽化源喷射的末端会形成热唇，从而有效防止由于汽化源的冷凝而引起的堵塞，同时能...

本发明公开了一种晶片混合清洗装置，包括箱体，所述箱体的两侧均通过安装箱固定连接有第一电机，并且第一电机的输出端固定连接有第一锥齿轮，所述箱体内壁的两侧均通过支架转动连接有螺纹杆，并且螺纹杆表面的顶部固定连接有与第一锥齿轮相啮合的第二锥齿...

本发明公开了一种半导体硅晶片制造用真实温度检测方法，具体包括以下步骤；S1、与辐射率阅读器的相同位置上安装高温计并进行校准(补偿)代替现有技术，即在硅晶片内的相同位置上，主要是在硅晶片中心部位同时测量发射率和高温计，这时依测量的实际工艺...

本发明公开了一种采用电磁波加热的真空成膜装置，包括装置本体和反应室，所述装置本体包括外壳，所述外壳的内部设置有坩埚，所述外壳的内部且位于坩埚的外部设置有电磁波加热线圈，所述坩埚的内部设置有源接收单元，并且源接收单元的两侧均固定连接有密封...