本发明涉及半导体制造技术，公开了一种用于半导体制造的加热制备系统，包括半导体制备机体和位于半导体制备机体内的半导体制造腔，在半导体制造腔的内部设有半导体制造单元；半导体制造单元包括内部形成空腔的半导体制造支撑台，在半导体制造支撑台的顶部...

本发明提供了一种半导体材料制备系统，属于半导体制备技术领域，通过在炉腔内设置第一隔离板和第二隔离板将炉腔在前后方向上依次分隔为资源腔、缓冲腔和生长腔，有效避免了炉腔内热对流的发生，有利于对温区内温度的调控，实现各温区各自的均温性控制要求...

本发明涉及属于半导体材料生产领域，尤其涉及一种用于制备半导体材料的装置及方法，包括气体浓度增加单元、导入单元、反应单元、后续处理单元和颗粒收集单元；气体浓度增加单元包括：浓度增加模块，浓度增加模块用于增加气体的浓度；导入单元包括上法兰盘...

本发明公开了一种半导体制备系统用管路结构，涉及半导体制备领域，包括第二支管与两个第一支管，在储液腔体底部设有第三支管；在储液腔体内设有分流管，沿分流管的周向在其外圆周壁上水平设置有多个分流支管，外排管的下端部竖直向下延伸至储液腔体的底部...

本发明公开了一种半导体制造系统及其提高半导体制造质量的方法，包括半导体制造外壳、半导体制造内腔、以及半导体制造下壳，其特征在于，半导体制造外壳和半导体制造内腔呈圆柱形壳体，半导体制造内腔设置于半导体制造外壳内部并与半导体制造外壳同轴心，...

本发明公开了一种制造半导体的系统，涉及半导体制备领域，包括供气端、半导体生成端，顶端通过半导体生成端密封件封闭，半导体生成端密封件对应气态氯化氢、氨气、屏蔽气各至少设置有两个管道接入口，柱形半导体生成容器内至少包含有一个半导体生成腔和位...

本实用新型涉及筛分领域，具体涉及一种用于氯化铵粉末的筛分装置，旨在解决采用气相外延法制备多晶体时产生的粉末，容易对管道造成堵塞腐蚀的问题。一种用于氯化铵粉末的筛分装置，包括：收集仓，收集仓内设置有储存空间；筛分机构，筛分机构上开设有若干...

本实用新型公开了一种用于制备氮化镓晶体的管体装置，涉及半导体制备器件领域，包括反应腔体和收集冷井，反应腔体的上端设有进气口，所述收集冷井连接于反应腔体下端；所述收集冷井的侧部通过管道连通设有若干个真空泵，所述反应腔体的内部设有相互连通的...

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体公开了一种制备氮化镓的半导体衬底组件，包括衬底托盘、柱体及柱体底座，所述衬底托盘包括盘体及凸块，所述凸块嵌固于所述柱体顶部，所述柱体底部固定连接在柱体底座上，所述柱体包括环状分隔缝，且柱体外壁沿环状...

本实用新型涉及热交换领域，具体是指一种热交换系统，包括箱体，所述箱体固定连接有入水口、回流口、出水口，所述箱体固定连接有用于冷却回流水的冷却组件，所述出水口处设有用于拦截异物的滤网以及增压水泵，所述出水口还固定连接有热交换组件，所述冷却...

本实用新型公开了一种用于化工设备的法兰组件，包括氢化物气相外延设备、上法兰安装组件和用于密封的下法兰安装组件，所述氢化物气相外延设备设置在上法兰安装组件和下法兰安装组件之间，所述上法兰安装组件包括葫芦和上法兰盘，所述葫芦下端面安装有抓钩...

本发明提供了一种半导体材料及其制备方法、系统，属于半导体材料制备技术领域。通过特定结构的镓舟、第一管路和第二管路的设置，通过冷阱结构的设置以及真空泵的设置，在提高氮化镓晶体生产效率的同时降低了堵塞并腐蚀管路的风险，同时保证了生长质量，降...

本发明涉及高纯单晶GaN生产技术领域，具体涉及一种高纯单晶GaN的清洗方法；包括以下步骤：S1、制备类APM溶剂；S2、有机污染清除单元和金属污染清除；利用类APM溶剂对单晶GaN进行清洗；S3、表面状态优化：将步骤S2中处理后的单晶G...

本实用新型公开了一种氮化镓连续生长反应器，属于氮化镓生产技术领域，其包括由生长区和辅助区构成的腔室，生长区和辅助区具有交叉区；生长区内设有镓源和气体源组件，交叉区内设有用于放置衬底或多晶晶籽的反应托盘、以及驱动反应托盘移至镓源处的升降驱...