一种用于制备氮化镓晶体的管体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于制备氮化镓晶体的管体装置，涉及半导体制备器件领域，包括反应腔体和收集冷井，反应腔体的上端设有进气口，所述收集冷井连接于反应腔体下端；所述收集冷井的侧部通过管道连通设有若干个真空泵，所述反应腔体的内部设有相互连通的上腔室和下腔室，所述上腔室内设有镓舟组件，下腔室内设有衬底；所述镓舟组件的进气端与进气口连通，出气端延伸至衬底上方；所述下腔室的下端与收集冷井的上端相互连通，且在下腔室的内部设有从镓舟组件出气端通往收集冷井的排气通道。本实用新型专利技术减少了管道易堵塞和腐蚀的情况，降低了氯化铵粉尘对制备氮化镓晶体效率的影响。影响。影响。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备氮化镓晶体的管体装置


[0001]本技术涉及半导体制备器件领域，具体涉及一种用于制备氮化镓晶体的管体装置。

技术介绍

[0002]氮化镓主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表 ,研制大功率、高温、高速和恶劣环境条件下工作的光电子器件的理想材料，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。
[0003]常见的现有技术中，制备半导体氮化镓晶体多数采用氢化物气相外延法。目前的氢化物气相外延法多用于制备单晶材料，所利用的装置利用氮气作为载气。这类装置在转向制备多晶材料时，会导致大量氯化铵在管道内堆积，造成管道腐蚀和堵塞，从而影响制备多晶材料的效率。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种用于制备氮化镓晶体的管体装置，解决在制备氮化镓时大量氯化铵在管道内堆积从而降低半导体氮化镓晶体制备效率的问题。
[0005]本技术通过下述技术方案实现：
[0006]一种用于制备氮化镓晶体的管体装置，包括反应腔体和收集冷井，所述反应腔体的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备氮化镓晶体的管体装置，包括反应腔体和收集冷井（2），其特征在于，所述反应腔体的上端设有进气口，所述收集冷井（2）法兰连接于反应腔体下端；所述收集冷井（2）的侧部通过管道连通设有若干个真空泵，所述反应腔体的内部设有相互连通的上腔室（1）和下腔室（11），所述上腔室（1）内设有镓舟组件（3），下腔室（11）内设有衬底（4）；所述镓舟组件（3）设有进气端和出气端，进气端与进气口连通，出气端延伸至衬底（4）上方；所述下腔室（11）的下端与收集冷井（2）的上端相互连通，且在下腔室（11）的内部设有从镓舟组件（3）出气端通往收集冷井（2）的排气通道。2.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化镓晶体的管体装置，其特征在于，所述镓舟组件（3）包括镓舟主体和容置腔（34），所述镓舟主体的上端为进气端，下端为出气端；所述镓舟主体包括数量若干的第一管路（31）、第二管路（32）以及一个第三管路（33），所述第一管路（31）的下端和第三管路（33）的上端分别连通至容置腔（34）的上端面和下端面上，所述第二管路（32）和第三管路（33）的下端均延伸至衬底（4）的上方。3.根据权利要求1所述的一种用于制备氮化镓晶体的管体装置，其特征在于，所述真空泵至少包括一个抽气泵（21）和一个负压泵（22）；所述收集冷井（2）内部设有副产物滤网（23），所述副产物滤网（23）...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔焜，谭伟霄，
申请(专利权)人：雅安宇焜芯材材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：