本发明公开了用于固体聚合物燃料电池的膜／电极组件，其中对膜和催化剂粘合剂的至少一种使用含有上列通式（３）所示的单体单元的氟化磺酸聚合物，其中Ｒｆ↑［１］代表含有４至１０个碳原子的二价全氟代烃基团。当聚合物中的－ＳＯ↓［３］Ｈ基团换成－Ｓ...

一种半导体装置的制造方法，具有在３００℃以下溅射铝材料（铝或者以铝为主要成分的合金）的低温溅射工序和在３００℃以上溅射的高温溅射工序，从低温溅射工序得到的膜厚度（Ａ）比从高温溅射工序得到的膜厚度（Ｂ）大，并且，设置成在高温溅射时的淀积速...

本发明目的在于完全且均匀地填充深宽比大的槽或孔部分。为此，在硅衬底（１）上形成的氧化硅膜（２）上形成连接孔（３）及布线用槽（４）后，用ＣＶＤ法在半导体衬底全部表面上形成ＴｉＮ膜（５），用溅射法等在除连接孔（３）及布线用槽（４）以外的区域...

一种用于制造绝缘薄膜的烷氧基硅烷／有机聚合物组合物，该组合物含有（Ａ）一种特殊的烷氧基硅烷，（Ｂ）一种特殊的有机聚合物，和（Ｃ）一种用于所述烷氧基硅烷（Ａ）和所述有机聚合物（Ｂ）的溶剂，该溶剂含有一种带有酰胺基和／或酯基的有机溶剂；一种...

在蓝宝石衬底上生长硅层以制作ＳＯＳ衬底、或在硅衬底上层叠作为中间层的晶体氧化物层或氟化物层后再在其上生长硅层以制作ＳＯＳ衬底的情况下，生长硅层后，在氧化性气氛中进行热处理以将硅层的表面侧的一部分氧化，然后用蚀刻去除硅氧化物层，并以残余的...

在衬底（１）上边形成一种电子浓度大于２×１０＃＋［１６］／ｃｍ＃＋［３］且具有Ｉｎ＃－［ｘ］Ｇａ＃－［１－ｘ］Ａｓ＃－［ｙ］Ｓｂ＃－［１－ｙ］（０＜Ｘ≤１，０≤ｙ，≤１）的组分的薄膜（２）。采用设定薄膜（２）的组分和向薄膜（２）内掺进施...

一种制造ＳＯＩ衬底的方法，该ＳＯＩ衬底有单晶氧化物衬底或硅衬底、在衬底上沉积的氧化物的绝缘底层，在该底层上外延生长的硅层，该方法包括：将离子注入到在绝缘底层上外延生长的第一硅层上将硅层的界面深度部分变为非晶，通过退火来使非晶表面深度部分...

本发明公开了一种用于制备绝缘薄膜的涂料组合物，所述的涂料组合物包含：（Ａ）至少一种氧化硅前体，所述的氧化硅前体包含至少一种选自烷氧基硅烷和其水解产物的化合物；（Ｂ）至少一种有机聚合物；（Ｃ）水；（Ｄ）至少一种醇；和，任选的（Ｅ）用于组分...

本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板（５）上依次叠层栅电极（２）...

本发明提供一种具有高移动度并且对溶剂的溶解性及耐氧化性优良的有机半导体材料。另外，还提供具有高移动度的有机半导体薄膜，以及电子特性优良的有机半导体元件。作为源.漏电极，在形成金电极图案的硅基板上，形成了在６、１３位导入卤基，在２，３，９...

本发明提供具有高移动度的有机半导体薄膜及其制造方法，以及用于该有机半导体薄膜通过湿法工艺制造的材料及其制造方法。另外，提供电子特性优良的有机半导体元件。把高纯度戊省与１，２，４－三氯苯的混合物加热，配制均匀溶液。把形成了作为源.漏电极的...

本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板（５）上依次叠层栅电极（２）...

本发明的课题在于提供通过涂布法制造具有叠层结构的电子器件的方法及适合于该制造方法的涂布液。本发明涉及层叠有至少两层以上含有有机物的层的电子器件的制造方法，该方法包括在基板上直接或通过介有其它层来涂布含有有机物及金属和／或金属氧化物的涂布...

本发明提供一种热固性树脂组合物以及利用该组合物的光半导体周边材料，所述热固性树脂组合物以（Ａ）含有下述通式（１）或通式（２）表示的化合物的有机聚硅氧烷为必要成分。［在此，式中Ｒ↑［１］各自独立地表示具有取代基或者无取代基的碳原子数为１～...

一种薄膜层压体，其特征在于，　具备：作为形成于基板上的ＩｎＳｂ薄膜的ＩｎＳｂ动作层、　电阻高于该ＩｎＳｂ动作层或显示出绝缘性、能带隙大于ＩｎＳｂ的Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｓｂ混合晶层（０≤ｘ、ｙ≤１）；　上述混合晶层...

通过使在具有菱形结晶或六方结晶结构的Ｒ－Ｆｅ－Ｎ－Ｈ系磁性材料粉末中含有氢，在磁场中或无磁场条件下形成粉末压块后，使用水中冲击波进行冲击压缩固化，产生具有冲击压缩的超高压剪切性、激活作用、短时间现象等特征，并将冲击压缩后的残余温度控制到...

一种各向异性导电组合物，此组合物含有１重量份的氧含量１０－１００００ｐｐｍ的铜合金粉和０．５－２５０重量份的有机粘合剂，其中，在铜合金粉粒子的表面上有铜化合物存在。

在包括由Ｇｅ－Ｓｂ－Ｔｅ合金构成的记录层（４）的相变型记录介质中，在记录层（４）的激光入射侧设有界面反射控制层（３），提高了记录层（４）的晶态与非晶态的光吸收率（Ａａ）的比，提高了光对比度，能够以覆盖记录得到良好的再生信号。通过在界面反...

一种相变型光记录介质，该相变型光记录介质具有反射率关系Ｒｃ＜Ｒａ，且即使不进行初始化处理，也能从第一次记录开始就具有高的记录特性。该光盘是通过在衬底（１）上淀积多重反射层（２）、第一介电层（３）、记录层（４）、第二介电层（５）、反射层（...

无需初始化工序的光信息记录媒体。在基板（１）的一面上，设置由规定的材料构成的结晶化促进层（３），在其上边直接成膜由Ｇｅ－Ｓｂ－Ｔｅ系合金构成的记录层（４）。这样，由于成膜后的记录层（４）变成结晶状态，故没必要再对所得到的光信息记录媒体进...