本申请公开了一种铸锭炉，涉及晶体生长领域，包括圆筒形的炉体，炉体内设置有容纳空间；八边形坩埚设置在炉体内；八边形护板设置在坩埚外侧；底板设置坩埚底部与护板配合形成坩埚的容纳空间；加热器为圆筒形加热器，部分设置在坩埚上方，部分外设在坩埚护...

本技术公开了一种加热器和铸锭炉，涉及多晶生长技术领域，加热器包括侧部加热器；所述侧部加热器为圆筒形；所述侧部加热器由第一发热组件和间隔分布在所述第一发热组件上的至少两个脚板组成；第一电极设置在至少一个脚板上；顶部加热器；所述顶部加热器为...

本技术公开了一种碳化硅长晶炉，涉及晶体生长技术领域，包括：炉体、测温组件；炉体的炉盖上设置有测温窗；炉体内设置坩埚；测温组件包括：设置在炉盖的测温窗上的红外测温仪；设置在炉体内的隔离管，隔离管的上端至少部分贯穿测温窗上的孔与红外测温仪对...

本技术公开了一种隔热笼和铸锭炉，涉及晶体生长技术领域，包括钢架；钢架包括圆筒形钢架本体和圆形钢架底板，钢架本体包括两个相同的钢架体，两个钢架体叠加放置；钢架底板设置在其中一个钢架体下方，与钢架本体形成容纳空间；保温筒；保温筒为圆形保温筒...

本技术公开了一种保温筒和晶体生长炉，涉及晶体生长技术领域，保温筒由多个平板围合形成的至少一层圆形或类圆形层，相邻所述平板之间的夹角θ为120~180度。本技术采用平板拼接形成保温筒，拆卸方便，且方便维修，大幅度降低了保温筒的维修成本。

本技术公开了一种籽晶组件，涉及铸造单晶硅锭领域，所述籽晶组件适用于铸造单晶硅锭，包括：籽晶层；所述籽晶层包含多块籽晶，多块所述籽晶铺设在坩埚底部；相邻所述籽晶之间形成有拼接缝；垫块层；所述垫块层包含多块垫块，多块所述垫块间隔分布放置在所...

本发明申请公开一种籽晶组件、铸造单晶硅锭的生长方法及其铸造单晶硅锭，涉及铸造单晶硅锭技术领域，本申请提供的一种籽晶组件，适用于铸造单晶硅锭的制备，包括：籽晶层；所述籽晶层为p型籽晶和n型籽晶交替拼接而成，任意相邻的p型籽晶之间设有n型籽...

本发明公开了一种籽晶块其及制备方法，铸锭单晶硅的生长方法，提出的一种籽晶块，该籽晶块的侧面重掺，该侧面重掺可有效吸附籽晶块拼接缝位置的杂质元素，降低该位置因杂质元素产生位错的几率，提高拼接缝位置晶体生长质量，改善铸锭单晶产品质量。

本发明公开了一种粘合剂、碳化硅籽晶的粘接方法、碳化硅晶体及其生长方法，提出的一种粘合剂，包括粘接剂、含硅物，二者均匀混合且质量比为1:5‑1:20，其中粘接剂为石墨胶、光刻胶、AB胶、酚醛树脂胶或环氧树脂胶中的一种或多种，含硅物为氧化硅...

本发明公开了用于半熔工艺的籽晶层及高效多晶硅锭的制备方法，所述籽晶层铺设在坩埚底部，所述籽晶层包括第一籽晶层和第二籽晶层，所述的第一籽晶层由纯籽晶料组成，所述的第二籽晶层由掺杂籽晶料组成；所述第一籽晶层设置在所述坩埚内侧边缘，所述第二籽...

本实用新型公开了一种硅片厚度测量装置及硅片分选机，包括厚度检测模块，所述厚度检测模块用于获取待测硅片的测试厚度；温度监测模块，所述温度监测模块设置在所述待测硅片的表面上，用于获取所述待测硅片的实际温度；第一模块，所述第一模块用于设定所述...

本发明公开一种硅块端面的位错比例值的评估方法、去除方法、评估装置和存储介质，其中，评估方法包括测量硅块端面的光致发光图片；判断并获取第一位错区域，第一位错区域为光致发光图片中灰度值小于灰度值阈值的区域；判断并获取第一位错区域的误判位错区...

本发明公开一种硅料的装料方法、铸造多晶硅锭的制备方法和铸造多晶硅锭，涉及铸造多晶硅锭技术领域，硅粉的装料方法包括以下步骤：将硅粉装入一个或至少两个包装件中，包装件将硅粉全部包裹住，包装件的熔点低于硅的熔点，且包装件在硅粉熔化过程中会变成...

本发明公开一种石英制品的修复方法和石英制品，修复方法包括以下步骤：步骤1：将待修复的石英制品的断裂处或缺口处进行清理并干燥；步骤2：将石英粉与硅溶胶按照按比例混合，并搅拌形成第一修复物；其中，石英粉和硅溶胶的质量比为3:1

本发明公开一种减少铸造晶体硅中氮化硅杂质的方法和铸造晶体硅，涉及晶体生长技术领域，包括：对坩埚进行涂层处理；使坩埚内壁形成包裹有氧化膜的氮化硅涂层；将多晶硅原料加入坩埚内；并将坩埚置于铸锭炉中；在铸造晶体硅的生长过程中，通过控制炉内温度...

本实用新型公开了一种应用于长晶炉的热场结构，包括坩埚，保温层，所述坩埚周围设有保温层，所述保温层全部或部分为氧化锆纤维硬毡，所述氧化锆纤维硬毡表面全部或部分涂覆氮化硅层。该热场结构可有效降低能耗，从而有效降低了长晶炉制备的最终产品的成本...