本发明公开了一种用于大功率半导体器件元胞的串联组装模具及芯片，模具包括焊接底座，其上开设有多个凹槽；热沉片，设置于多个凹槽中，热沉片的顶部设有锡膏，锡膏用于承载芯片；焊接定位板，设置于焊接底座顶部，焊接定位板上开设有多个开孔，各开孔与热...

本发明涉及脉冲功率技术半导体换路开关技术领域，公开了一种纳秒高压脉冲开关模块的堆叠式封装结构及方法，结构包括芯片单元模块、绝缘柱和正、负电极板；所述芯片单元模块包括紧密层叠的芯片和热沉片，热沉片采用高导热、导电材料；所述芯片单元模块首尾...

本发明提供降低大功率高压器件导通电阻的电荷节流层结构及方法，包括衬底、电荷节流层、N+区和氧化层；电荷节流层、N+区和氧化层自下往上依次生长在衬底上；电荷节流层、N+区均为掺杂区，且N+区的掺杂浓度大于电荷节流层的掺杂浓度。在高压双极型...

本发明涉及脉冲功率技术半导体换路开关技术领域，公开了一种用于高压亚纳秒脉冲电源的SPDS器件与制造方法，制造方法包括以下步骤：以P或N型硅为衬底，在衬底两侧均进行扩散处理形成第一中间件，第一中间件的两侧可分为打标侧和非打标侧；在非打标侧...

本发明提供一种适用于SPDS器件的测试模具及测试方法，包括测试底座、测试盖板、电极板、引出线和测试固定机构；测试底座上设置有凹槽，电极板设置在凹槽内，用于放置待测试件；测试盖板固定设置在测试底座上，且测试盖板开设有用于取放待测试件的窗口...