西南科技大学专利技术

西南科技大学共有6859项专利

  • 本发明公开了一种爆破装药结构及其施工方法,所述结构包括炸药筒、吸水材料、滤网、炸药包、起爆器材、堵塞物;其中,所述吸水材料用于吸附水或者水溶液;所述滤网用于包装吸水材料。装药前,将装有吸水材料的滤网放入水中浸泡,待其膨胀为圆柱状取出备用...
  • 本实用新型公开了一种可调节音高的手持式羌族羊皮鼓,包括:羊皮鼓;设置在羊皮鼓内,用以调节鼓皮松紧度的调节组件。本实用新型提供一种可调节音高的手持式羌族羊皮鼓,通过在现有的手持式羌族羊皮鼓中增加可调节音高的调节组件,使得鼓皮的张紧状态可根...
  • 本发明提供了一种C3D改进方法及机加车间人体行为识别方法。所述C3D改进方法:借鉴ACTION
  • 本发明提供了一种工件表面缺陷检测方法。所述工件表面缺陷检测方法:通过改进YOLOv3
  • 本实用新型涉及岩土工程注浆技术领域,具体涉及一种岩土工程注浆装置,包括注浆机构、清洗机构和加压机构,注浆机构包括注浆桶、四个支撑杆、搅拌杆、刮壁杆、支撑台、塞子和电机,清洗机构包括喷水组件和若干刮壁组件,当需要对注浆桶进行清洗的时候通过...
  • 本发明涉及建筑废弃泥浆再利用技术领域,公开了一种建筑废弃泥浆活化方法及其应用,活化方法为:对废弃泥浆进行干燥脱水处理;对干燥后的废弃泥浆物料进行煅烧,然后急冷即得。本发明的废弃泥浆在脱水烘干后煅烧时,矿物的结晶状态因Si
  • 本发明提供了一种4
  • 本发明公开了一种智能制造用可调节上料装置,包括上料架,所述上料架顶部设置有活动框、以及升降台。通过升降机构可调节升降台与夹紧机构同时上下移动,将待加工物件放置在升降台顶部,通过升降机构调节夹紧机构向上移动,当夹紧机构移动至活动框内侧时,...
  • 本发明公开了一种多路图像采集装置及其控制方法。该装置包括防护外壳、反射孔洞、反光镜和可旋转摄像头。该控制方法采用上述的多路图像采集装置,外界的光线从孔洞入口进入反射孔洞,经过反光镜对光线的反射作用,使得光线沿反射孔洞的孔洞路径传播,最终...
  • 本实用新型公开了一种新型装配式拉拔试验装置,包括:基座底板,其上端面固定连接有4根支撑螺杆;每根所述支撑螺杆的上端、下端分别螺纹连接有上端螺母和下端螺母;下部端板,其设置在支撑螺杆上,其下表面与所述下端螺母抵接;上部组合挡板,其设置在支...
  • 本实用新型公开了一种硬币替芯式按压印章,包括:印章台,其上端可拆卸设置有印章本体;所述印章本体头部可拆卸设置有硬币式章头替芯;所述印章本体尾部可伸缩设置有用于将硬币式章头替芯向下挤压的弹性压头;本实用新型可以在印章头部换取承载着不同文字...
  • 本实用新型公开一种准确分离麦冬块根大小并计数的装置,包括底座,所述底座的顶端安装有两个支架,两个所述支架分别安装有驱动齿轮和辅助齿轮,所述驱动齿轮和辅助齿轮的外侧壁啮合有齿轮传输带,所述齿轮传输带一侧设置有第一筛板,所述第一筛板的一侧设...
  • 本实用新型公开了一种预制轻钢剪力墙连接结构,属于建筑结构技术领域,包括钢套芯、横向预制墙板和纵向预制墙板,横向预制墙板与纵向预制墙板呈“T”型或“L”型排布,且钢套芯位于横向预制墙板内侧,钢套芯分别与横向预制墙板、纵向预制墙板固定,横向...
  • 本实用新型公开了一种适用于地震高烈度区隧道衬砌消能减震结构,所述隧道包括初衬层和二衬层,隧道围岩内固定有锚杆,锚杆沿隧道横断面呈放射状分布,锚杆前端深入围岩内、锚杆尾端位于围岩外并连接有减震件,所述减震件用于减缓锚杆前端的震动,减震件及...
  • 本实用新型公开了一种建筑节能蜂巢式自保温砖,涉及建筑技术领域,该保温砖旨在解决现有技术下缺少双重保温防护机构的技术问题。该保温砖包括保温砖本体、安装在所述保温砖本体上的蜂巢模块、设置于所述保温砖本体内部用于顶部连接使用的防护顶砖模块;所...
  • 本发明公开了一种仿生纤毛微流量传感器、其制备方法及制备装置,目的在于解决现有仿生纤毛研发的MEMS流量传感器大多采用传统的微加工技术,操作较为繁琐的问题,其包括电阻应变片、金属基板、金属仿生纤毛;金属基板呈金属箔片状,金属基板的一端固定...
  • 本发明公开了一种用于光催化的宏观三维1T
  • 本发明公开了一种基于含铁废水制备凹凸棒/聚吡咯复合材料的方法。包括以下步骤:(1)称取一定量的凹凸棒在300o
  • 本专利公开了一种石灰石生产水泥零排碳的方法,将石灰石粉在悬浮分解系统中分解,系统底部排出石灰,系统顶部排出水蒸气和二氧化碳的混合气体;将混合气体电解,得到燃料;将石灰、校正料、硅质料、矿物稳定剂球磨混合后得到水泥生料,水泥生料煅烧后,得...
  • 本申请公开了一种氮化铝基异质声学层的SAW谐振器,用于提高谐振器性能。本申请谐振器包括:异质声学层HAL结构、输入叉指换能器IDT、输出IDT、第一声子晶体及若干个第二声子晶体;HAL结构包括压电层和复合基底,压电层的压电材料为掺钪氮化...