本技术提供了一种晶体管结构，包括：外延层，具有相对的第一表面和第二表面；第一体区和第二体区，设置于所述外延层内，所述第一体区和所述第二体区在第一方向上相对且间隔设置，所述第一体区和所述第二体区沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；加强层，...

本发明实施例公开一种MOS晶体管结构的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括外延区、第一阱区、第二阱区和源极区，所述外延区具有第一表面，所述第一阱区和所述第二阱区之间存在间距；在所述基底远离所述第一表面的一侧形成绝缘层，所述绝缘层具有第...