本发明涉及一种径向结构连续波太赫兹振荡器，包括环状金属顶板、径向传输电子束、慢波结构、金属过渡波导内筒、金属过渡波导外筒、同轴输出波导和电磁线圈；径向传输电子束在沿着径向的均匀静磁场的引导下，通过与由环状金属顶板和慢波结构构成的高频互作...

本发明涉及一种直线变压器驱动源(Linear Transformer Driver，简称LTD)，包括由外至内依次同轴设置的外层放电模块、次级筒和内层放电模块；外层放电模块一端接地，另一端连接次级筒，构成外层基频回路；内层放电模块一端接...

本发明属于爆炸与冲击动力学领域，具体涉及一种平衡炮上用于发射带攻角弹体的前后定心式弹托的设计。本发明所提供的平衡炮前后定心式攻角弹托包括前定心弹托和后定心弹托；前定心弹托和后定心弹托均为中心开孔的圆柱体，外圆周直径与炮管口径相匹配，内孔...

本发明涉及一种短脉冲高幅值冲击电流发生器，其结构包括同轴设置的外箱体和内箱体；外箱体和内箱体之间围成封闭的空腔，空腔内竖直设置有外层放电支路和内层放电支路；外箱体顶板和内箱体顶板之间设置有平板状中间高压电极；外箱体顶板、内箱体顶板和中间...

本发明属于脉冲功率技术领域，涉及一种高阻抗高电压输出的同轴脉冲形成线，其目的是克服传统的单线储能输出电压低和Blumlein线双线储能绝缘难度大的不足，在同一脉冲形成结构上同时实现绝缘可靠和输出电压高的优点。本发明包括形成线段、短路开关...

本发明涉及一种多级串联直线变压器驱动源(Linear Transformer Driver，简称LTD)，以及该驱动源的触发方法。本发明包括多个串联叠放的LTD模块；所有的LTD模块位于一个共用的无磁性金属壳体内。本发明解决了常规多级串...

本发明公开了一种利用半导体折射率变化测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置，用于解决现有测量MeV核辐射脉冲时间宽度的装置测量效率低的技术问题。技术方案是包括可调谐激光器、单模光纤、光纤环行器、半导体晶片、高带宽光电探测器和示波器。可调谐激...

本发明提供基于同位素比值测量的长寿命放射性核素半衰期测定方法，包括称取一定量的半衰期大于1年的放射性核素溶液；依据粗估的放射性核素含量在放射性核素溶液中增添等量级的该放射性核素的天然稳定元素，采用高精度同位素质谱测量溶液中放射性核素与稳...

本发明属于脉冲功率技术领域，提供一种多级场畸变气体火花开关，可以在无吹气条件下以高重复频率工作于MV级电压，大大简化系统复杂性。开关整体为轴对称形式，开关阴极左侧与脉冲功率装置连接，右侧开孔固定绝缘支撑杆；开关阳极中心孔外侧沿圆周方向开...

本发明涉及双预置甄别门控型恒比定时甄别器及数字恒比定时甄别方法，包括门控型恒比定时甄别器电路，还包括固定阈值甄别器DT、延迟线和第二与门Y2；输入信号分别送入双极性成形电路、预置阈值甄别器Dp、固定阈值甄别器DT；双极性成形电路的输出端...

本发明公开了一种用于脉冲堆的辐照实验装置，脉冲堆设有一径向孔道，径向孔道包括孔道出口，径向孔道内设有中子捕集器，径向孔道外部设有屏蔽体，所述屏蔽体上开设有通过孔；所述辐照实验装置包括活动屏蔽盖、屏蔽储存架、双丝杠同步驱动机构和电梯，屏蔽...

本发明公开了一种基于气体正比室的单粒子径迹成像装置，用于解决现有粒子束径迹成像装置对单粒子成像困难的技术问题。技术方案是包括阴极管、阳极丝、绝缘支架、高压电源、准直器和成像设备。所述阴极管、阳极丝、绝缘支架和高压电源组成气体正比室。准直...

本发明公开了一种气体放电预电离装置，包括放电电极、预电离针、绝缘基板、密封圈、固定螺母、插拔结构和峰化电容。放电电极和预电离针垂直穿过绝缘基板，并通过密封圈和固定螺母紧固，确保激光气室良好的真空密封性能。预电离针沿电极长度方向均匀布放于...

本发明涉及一种逻辑门电路及CMOS数字电路总剂量效应敏感性的分析方法，包括1)列举待分析逻辑门电路在辐照过程中的工作状态，列举待分析逻辑门电路在测试过程中的工作状态，将两种过程中的工作状态进行排列组合形成多组输入信号组合，2)将组成分析...

本发明提供基于同位素稀释质谱定量的放射性核素半衰期测定方法，采用同位素质谱的方法，重点目标瞄准半衰期为1年至103年(有特殊需求情况下，可通过调整存放时间拓展至半衰期为数月或104年以上)的核素，本发明基于母子体的放化分离和质谱测试技术...

本发明公开了一种基于外腔结构的双波长可调谐激光装置，包括输出腔镜、反射腔镜和增益介质，在输出腔镜的输出光路上设置有色散元件，在所述色散元件两个不同衍射波长的光路上设置有第一转镜和第二转镜，所述的第一转镜和第二转镜均对激光输出波段半透射半...

本发明属于脉冲功率技术领域，涉及一种带有重入结构的脉冲形成线，其目的是缩小脉冲形成线轴向长度。本发明包括重入形成线段、开关段和负载段共三个部分。重入形成线段的3个同轴圆筒与绝缘介质构成了2个脉冲形成线，即外线和内线的电长度相等，波阻抗相...

本发明公开了一种闪烁体光子晶体结构及其制作方法，用于解决现有闪烁体光输出效率低的技术问题。技术方案是闪烁体光子晶体结构包括闪烁体和光子晶体两部分，光子晶体由一系列成六角型或四边型周期性排列光子晶体微结构构成。光子晶体制作方法包括阳模板制...

本发明公开了一种可实时监控的金属表面激光发蓝处理装置及方法，包括激光器，光束整形系统和散射光监测系统。激光器产生的激光束经整形后，再通过散射光监测系统均匀辐照于待加工工件的整个表面。本发明的工艺方法和装置在应用中将金属表面发蓝形成的氧化...

本发明涉及一种考虑辐照偏置电压动态变化的CMOS电路总剂量效应仿真方法，包括单管损伤模型建立的步骤、对待研究CMOS电路执行瞬态仿真，描述不同辐照偏置电压对氧化层中空穴产额的影响，并建立辐照偏置电压与测试用辐照电压之间的关系的步骤、结合...