本实用新型涉及一种高精度束流能量分析狭缝装置，该装置主要由一套真空系统、两套驱动机构、两个绝缘块和两个石墨块组成。两套驱动机构分别带动两个石墨块做水平运动，使得两个石墨块在垂直束流方向形成一个束流狭缝，用于限制束流的横向尺寸。石墨块连接...

本实用新型属于辐射探测技术领域，针对现有技术中在闪烁体表面制作光子晶体结构工序复杂、成本高，且大尺寸闪烁体本体表面难以制造光子晶体结构，以及无法直接在易潮解类闪烁体表面制作光子晶体结构的技术问题，提供带有光子晶体层的封装式闪烁体及闪烁探...

本发明属离子光学技术，具体涉及一种基于同步脉冲的离子传输方法及飞行时间质谱仪器。基于精确传球的思路，创造性地提出了利用一个脉冲引出场将一区域内的离子引出并加速，形成一个运动的离子团簇，当离子群经过第二个脉冲电场区域时，选择合适的时间施加...

本实用新型涉及一种成像设备的辅助聚焦装置，尤其涉及一种热像仪视场定标器，解决了现有热像仪定标器操作繁琐，不便于携带及精度不高的问题，可用于多种不同波段热像仪的视场定标。本实用新型主要包括电热丝、支撑板、电源适配器和电源连接器；所述电热丝...

本实用新型涉及一种用于钢筋混凝土的传感器装置，解决现有测量方法中传感器生存率低、难以确定位置以及钢筋混凝土遭到破坏的问题。传感器装置包括模具盒和传感器，模具盒为一面开口的模具盒，其侧面设置有传感器输出线孔，传感器设置在模具盒内，模具盒内...

本发明公开了一种基于磁开关的近方波Marx发生器，依次包括初级放电单元、可饱和脉冲变压器单元、Marx发生器单元以及放电单元四部分。其中，主体部分用于产生近似方波脉冲，采用附加调整电容结合反转电压叠加的Marx发生器的技术方案，实现方波...

本发明公开了一种输出脉宽可变的脉冲驱动源，依次包括脉冲形成单元、主开关、脉冲传输单元、输出二极管、同轴结构磁开关五个部分。其中，同轴结构磁开关并联于输出二极管两端，用于调节二极管两端的输出脉宽。本发明解决了现阶段脉冲驱动源无法实现输出脉...

本发明提供了一种兆安级电流下金属丝阵早期物理状态的调控方法，在不更改脉冲驱动源参数和馈入预脉冲的前提下，仅通过改进负载结构调控金属丝阵的早期物理状态，进而便于深入研究其对内爆动力学和等离子体不稳定性发展过程的影响。本发明在仅有一个电流回...

本发明提供了一种两端式叠层太阳电池激光损伤效应分析方法，以解决现有分析方法无法实现子PN结性能定量分析的问题。首先获取待研究两端式叠层太阳电池的暗光谱响应与外量子效率谱，然后建立子PN结并联电阻的线性方程组并对其求解，分析激光损伤前后各...

本发明涉及一种用于气体火花开关的电极结构及设计方法。该电极结构能够调控气体间隙火花放电通道的形成数量和发生区域，进而达到气体火花开关稳定多通道放电的目的。该电极结构包括相间排列的N个低逸出功电极材料组块以及N个高逸出功电极材料组块；N的...

为了解决传统的对HPM产生器件进行多目标优化方法的优化结果具有很大不确定性的问题，本发明提供了一种基于多目标优化算法的HPM产生器件优化方法。本发明考虑到对于HPM产生器件而言，输出功率是最重要的优化目标，而其它例如起振时间、频率等也是...

本发明涉及一种表面具有微透镜阵列的塑料闪烁体及其制备方法，解决现有闪烁探测与辐射成像系统中闪烁体与光电器件分离的情况下，光电器件接收荧光效率低、系统性能受限的问题。表面具有微透镜阵列的塑料闪烁体包括塑料闪烁体，所述塑料闪烁体表面还设置有...

本发明属于化学测试系统领域，涉及一种基于激光加热的高升温率热重分析系统及方法，解决了现有技术存在的加热速率慢、加热温度不准确，不能满足材料在高升温率、高温下进行热重分析的问题。本发明的分析系统包括加热部分、测量部分和计算机；加热部分包括...

本发明涉及一种粒子加速器能量选择与分析系统，该系统由一个降能器、两个能量分析狭缝、两块二极磁铁、若干四极磁铁和一个束流强度探测器组成。两个能量分析狭缝位于第一块二极磁铁两侧，通过调节四极磁铁的强度，令粒子通过两个能量分析狭缝间的传输段时...

本发明属于电磁脉冲注入技术领域，本发明是为了克服现有高空电磁脉冲测试夹具的不足，提供了一种同轴型传导干扰防护器件性能测试夹具，旨在实现防护器件在工作状态下进行脉冲注入测试。本发明将供电端口和注入端口设计为同轴型结构，相比以往双线结构引入...

本发明的一种金属基石墨烯薄膜阴极气体火花开关，属于脉冲功率技术领域。开关包括金属基石墨烯薄膜阴极、绝缘气体、金属阳极、开关腔体四个部分。开关整体为轴对称形式，金属基石墨烯薄膜阴极是在金属阴极表面通过化学气相沉积法生长石墨烯薄膜构成。金属...

为了便于开展兆安级电流下金属丝阵早期物理状态的调控方法研究，以及内爆等离子体不稳定性发展过程研究，本发明本发明的二级丝阵负载有两个独立的电流回路，电流分别流过负载丝阵和反转型丝阵，通过调整负载丝阵和反转型丝阵的金属丝长度、丝数和/或直径...

本发明涉及一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，该方法提高了CMOS工艺器件抗总剂量能力，解决了CMOS器件在空间辐射中长时间应用，使电子器件性能退变，甚至功能失效的问题。其包括1)确定待加固CMOS工艺器件的最优退火温度和最佳...

本发明涉及一种基于双‑双指数电流源的单粒子故障注入仿真方法，包括1)单管辐射模型建立与参数提取；2)对CMOS工艺反相器电路执行器件与电路混合仿真，选取的入射离子LET值，获取单粒子瞬态脉冲电流；3)在目标电路故障注入节点插入如下形式的...

本发明涉及X射线荧光分析技术领域，针对现有X射线荧光测量系统及方法的测量结果易受仪器性能波动的影响，以及不适用于对以金属元素为主要成分的薄层质量厚度进行测量的不足，提供基于参考元素的X射线荧光薄层质量厚度测量系统及方法，其中测量系统包括...