本发明涉及一种激光辐照效应损伤阈值分析方法，具体涉及一种阵列式图像传感器激光损伤阈值估算方法，解决激光干扰损伤效应阈值实验数据存在较大差异的问题。该方法通过获取阵列式图像传感器样品上不同程度的点损伤效应、线损伤与大面积失效激光参数，以及...

本发明涉及图像传感器及高速成像技术，具体涉及一种高时间分辨的图像传感器结构及驱动方法，以解决现有高时间分辨连续成像系统存在的系统规模较大、光学分光一致性难以保证、系统灵敏度下降，以及片上存储的超高速图像传感器的设计加工难度大、生产成本较...

本发明涉及脉冲信号测量技术，具体涉及脉冲信号特征点及同步时间的高时间精度测量方法和系统，以解决现有测量纳秒量级脉冲信号时，需要高端示波器导致硬件成本高，且脉冲信号时间的稀疏特性造成示波器高频采样功能的浪费和数据冗余的技术问题。包括：选择...

本发明涉及一种基于天然地震震源辐射强度修正的观测信号幅值测量方法，目的是解决因震源强度方向性的影响，导致难以利用大震级天然地震在地震台站上的记录信号进行幅值测量，以建立震源到地震台站特定路径的地震信号幅值——震级关系模型的问题。该方法是...

本发明提供一种基于分子动力学模拟三元化合物半导体位移损伤的方法，解决现有初始损伤存在着原子间势函数不够完善、仿真参数不够准确的问题，该方法包括：步骤一、获取势能函数并对其进行优化；步骤二、建立初始位移损伤模型，确定仿真参数；步骤三、进行...

本发明公开了一种无人机载地表α、β辐射剂量测量装置及方法，解决现有无人机载测量设备无法实现地表α、β辐射剂量数据测量的问题。装置包括辐射测量装置本体、辐射测量装置固定架、测量组件及无人机吊板；辐射测量装置本体安装在辐射测量装置固定架上；...

本发明属于远程光纤传输延时测试方法及系统，为解决目前利用光时域反射仪测量远程光纤传输延时，时间误差不能满足系统精度要求，而借助于已知传输延时的同轴电缆进行推算的方法，测试成本高，且无法在本地端完成的技术问题，提供一种基于时域反射差值的远...

本发明涉及一种锂‑氟化碳电池用氟化碳复合正极活性材料及其制备方法和应用。其目的是解决现有锂‑氟化碳电池用氟化碳复合正极活性材料存在难以同时兼顾高比容量、高倍率性能和改善电压滞后现象的技术问题。该材料由氟化碳与科琴黑经球磨混合制成，氟化碳...

本发明属于锂一次电池正极材料的技术领域，提供一种锂一次电池用正极复合材料及制备方法。本发明的正极复合材料包含高石墨化度的氟化碳材料和氟化科琴黑材料；该正极复合材料由高石墨化度的氟化碳材料与氟化科琴黑材料经球磨混合制成；所述球磨时间为8‑...

本发明涉及一种基于富氢钙钛矿闪烁体的微型辐射探测组件、装置及方法。本发明的目的是解决现有脉冲辐射探测装置存在体积较大，导致应用受限，以及线性工作范围小和工作偏压高的技术问题。该探测组件包括半导体光电转换器件和作为辐射‑光转换体的富氢钙钛...

本发明涉及一种氮化镓半导体辐射探测器及其制备方法和包含该氮化镓半导体辐射探测器的检测设备，其目的在于解决氮化镓材料存在垂直缺陷导致制备辐射探测器时易碎裂，以及由于垂直缺陷导致辐射探测器在工作时易发生电击穿的问题。所述氮化镓半导体辐射探测...

本发明涉及一种基于微孔阵列准直器的α放射源核电池，其目的在于解决α放射源产生的高能α粒子对半导体换能单元造成较大辐照损伤，导致α辐射伏特效应核电池输出性能短期内下降的问题。所述核电池包括外壳和绝缘底座，外壳具有一开放端，绝缘底座固定于外...

本发明涉及一种基于富氢钙钛矿闪烁体的辐射探测装置及探测方法，其目的是解决现有辐射探测装置存在若采用有机闪烁体，对中子和带电粒子的响应存在显著的能量响应非线性问题，导致难以根据中子响应结果准确回推核反应过程释放的中子数目和中子产额等信息，...

本发明涉及一种高精度聚变中子能谱测量装置及方法。本发明的目的是解决现有聚变中子能谱测量装置及方法，若采用反冲质子磁分析法，仅适用于高中子产额下的诊断，若采用中子飞行时间法，尚难以利用同一探测系统同时有效获得初始时间波形和响应波形，若采用...

本发明涉及一种辐照腔，具体涉及一种增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔。克服采用现有辐照腔改进手段可行性较低的问题。本发明在辐照腔中放置了具有特定相对介电常数的绝缘介质基底，并在绝缘介质基底上刻上特定形状和尺寸的凹槽、然后再填...

本发明提供一种快Marx发生器型感应电压叠加器，解决现有中储型和形成线型感应电压叠加器存在兆伏级触发开关多、触发系统复杂、运行维护难度大等方面的问题。该快Marx发生器型感应电压叠加器包括依次连接的快Marx发生器、混波网络和脉冲压缩成...

本发明提供一种针对不同倾角入射的单粒子瞬态电流源建模方法，解决传统电流源建模方法在推广到倾角入射情形时参数提取复杂、注入电荷总量估计不准确的问题。该方法综合考虑了入射位置、入射角度和有源区形状大小，能够更加合理准确的研究电路的单粒子效应...

为了突显双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应特点，本发明提供一种双极工艺电子器件位移损伤与电离总剂量协和效应试验方法，首先利用γ射线对双极工艺电子器件进行辐照，辐照过程中应对器件采用变温辐照、恒高温辐照二种方式中的一种，并辐照至...

本发明公开了一种掺稀土元素光纤激光上能级荧光寿命直接测量装置和方法，测量装置包括泵浦光源、光束聚焦系统、样品放置平台、光电探测器、数据采集处理单元。待测样品光纤固定放置于样品放置平台上，调节泵浦光源，使其出射的泵浦光束沿垂直于样品光纤的...

本发明涉及一种陶瓷涂层制备方法，具体涉及一种纳米TiB2涂层的制备方法。本发明的目的是解决现有TiB2涂层制备方法存在采用化学气相沉积法时，BCl3对设备及管路的腐蚀性极强，导致成本高、难度大，而采用渗Ti和B的包埋法时，涂层结构致密度...