本实用新型公开了一种纵向高压半导体器件，包括：N型掺杂半导体衬底、N型掺杂外延层、P型掺杂阱区、P型掺杂体区、高浓度N型掺杂区、第一多晶硅场板、第二多晶硅场板、第三多晶硅场板、第四多晶硅场板、漏极金属电极及截止环电极。本实用新型结构可以...

本发明公开了一种纵向高压半导体器件，包括：N型掺杂半导体衬底、N型掺杂外延层、P型掺杂阱区、P型掺杂体区、高浓度N型掺杂区、第一多晶硅场板、第二多晶硅场板、第三多晶硅场板、第四多晶硅场板、漏极金属电极及截止环电极。本发明结构可以在耐压时...

本实用新型公开了一种肖特基二极管器件，包括：N型掺杂半导体衬底、N型掺杂外延层、P型阱区、导电填充层、金属接触层、阳极金属电极及阴极金属电极。本实用新型在保证器件导通压降要求的同时，提高器件的击穿电压，提高器件生产的良率和可靠性。

本发明公开了一种肖特基二极管器件及制作方法，其中的一种肖特基二极管器件，包括：N型掺杂半导体衬底、N型掺杂外延层、P型阱区、导电填充层、金属接触层、阳极金属电极及阴极金属电极。本发明在保证器件导通压降要求的同时，提高器件的击穿电压，提高...