本发明公开了一种钝化层结构及制备方法，属功率半导体表面钝化领域。结构含氧化硅基第一钝化层、硅烷‑二氧化硅第二钝化层、氮化硅基第三钝化层，可加聚酰亚胺层；采用PECVD、硅烷氧化沉积制备，配合分阶段气体控制的退火及光刻刻蚀，在简化工艺降低...