本发明属于半导体制造领域，公开一种离子注入工艺匹配的方法，包括：在基准设备上对硅晶片进行离子注入，退火，测定方块电阻值；在待匹配机台上，进行离子注入，退火，测定方块电阻值；比较两者的电阻值；通过调待匹配机台注入剂量系数，直到令两者的电阻...

本发明公开了一种改善晶圆背面水印的显影方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括光敏材料层；向所述晶圆喷涂显影液，使所述显影液布满所述光敏材料层；以第一速度将所述晶圆旋转第一时间，接着以第二速度将所述晶圆旋转第二时间；重复操作所述以第一速度将所...

本发明公开了一种基于半导体制造的Poly/OX选择比获取方法，包括：将晶圆设置于多晶硅刻蚀机台内；向多晶硅刻蚀机台内通入包括氟类气体的刻蚀气体；对刻蚀气体进行电离，获得刻蚀所需的等离子体；基于刻蚀所需的等离子体，对晶圆上多晶硅层和栅氧氧...