本发明公开了一种采用隔热板调节垂直温度梯度的晶体生长装置及长晶方法，该装置在加热器与晶体生长坩埚之间引入隔热板，保持加热器与晶体生长坩埚相对位置不动，利用隔热板的升降来调节生长腔室内垂直方向的温度梯度，从而实现半导体熔体在坩埚中自下而上...