先进半导体私人有限公司专利技术

先进半导体私人有限公司共有2项专利

  • 本揭示涉及功率电晶体及其制造方法。本揭示提供一种制造一功率电晶体的方法,包含下列步骤:提供一半导体基板,其中该半导体基板包含一第一外延层以及一第二外延层,且该第二外延层预先配置于该第一外延层上以备作为该功率电晶体的一电子元件层;以及在该...
  • 本揭示涉及功率电晶体及其制造方法。本揭示提供一种制造一功率电晶体的方法,包含下列步骤:提供一半导体基板,其中该半导体基板包含一第一外延层以及一第二外延层,且该第二外延层预先配置于该第一外延层上以备作为该功率电晶体的一电子元件层;以及在该...
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