西安电子科技大学专利技术

西安电子科技大学共有27358项专利

  • 本发明公开了一种采用单层单贴片单元的宽带圆极化毫米波反射阵列天线,主要解决现有宽带反射阵列天线结构复杂、成本高、在毫米波频段加工精度要求高的问题。其包括:圆极化喇叭馈源、平面微带反射阵列、3D打印树脂支架和亚克力支架,该平面微带反射阵列...
  • 本发明公开了一种基于压力‑动作关联分析的智能矫正系统,包括柔性传感鞋垫主体、能源自主模块、微处理器控制模块、智能分析模块及实时显示和反馈模块;所述柔性传感鞋垫主体上设有N个压力监测区,各压力监测区均集成有柔性电容式压力传感器,形成N通道...
  • 本发明提出了一种基于改进的动态运动基元的工业机械臂轨迹规划方法,实现步骤为:采集机械臂末端执行器的示教轨迹运动数据;构建包括避障强迫项的动态运动基元模型;构建包括避障和补偿强迫项的动态运动基元模型;获取工业机械臂轨迹规划结果。本发明在通...
  • 本发明提供一种基于图神经网络的视频路由优化方法及装置,包括:构建网络快照模型;将用户按需求排序,得到用户序列,并初始化入流节点集合;采用图神经网络对无向加权图的节点进行编码,得到上下文感知嵌入表示;根据用户序列和上下文感知嵌入表示,对各...
  • 本发明公开了一种可折叠一体化的钙钛矿太阳能电池及其制作方法,创新性地实现了可折叠一体化的钙钛矿太阳能电池,具体地:使用激光分割工艺,取代了物理尺寸大、安装工艺复杂的铰链结构,在实现钙钛矿电池单元的分割与封装的同时赋予轻薄的钙钛矿电池可折...
  • 本发明属于视频处理技术领域,公开了一种基于惯性运动传播的在线自适应视频插帧方法及装置,该方法包括:获取当前帧及下一帧的平面特征,并获取先验运动信息,包括:上一帧至当前帧的中间帧光流以及传播特征;根据传播特征和下一帧的平面特征,得到当前帧...
  • 本发明提供基于邻域变异差分进化算法的二维DOA估计方法及装置,涉及计算机仿真与方法优化技术领域。该方法包括:获取阵列接收信号;根据阵列接收信号和总快拍数,利用子空间的算法确定噪声子空间投影矩阵;初始化算法参数;根据初始化后的算法参数和噪...
  • 本发明属于人工智能技术领域,公开了一种基于决策树与UCB算法的复杂场景策略生成方法及系统;该方法包括:获取任务场景数据;根据任务场景数据,通过预先构建的决策树生成初始策略集合;利用UCB算法从初始策略集合中筛选最优的个策略,得到可行策略...
  • 本发明公开了一种适用于人形机器人的多功能智能传感系统及方法,包括柔性传感套、分段式传感器阵列、控制模块及手机实时显示模块,控制模块包括微处理器控制模块及安全控制模块;所述柔性传感套的形状与机器人多关节手指的非规则曲面相适配,所述分段式传...
  • 本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括:衬底;外延层,位于衬底的上表面,外延层的上表面呈现阶梯状,包括第一台阶区域和第二台阶区域,第二台阶区域包括多个间隔排布的第二场限环终端;第一台阶区域还包括...
  • 本发明涉及一种基于多源遥感数据的背景与目标复合电磁散射仿真方法,包括步骤:采集包含仿真区域在内的大范围数字高程模型与卫星图像数据并进行参数配准,得到大尺度背景地形模型;对卫星图像仿真区域进行预测分类,得到地貌分割标签图像;基于地貌分割标...
  • 本发明公开了一种基于光谱信息镜漫分离的偏振三维重建方法及装置,方法包括:获取目标物体在各光谱通道下不同偏振方向的光强表达式;光强表达式包括每个光谱通道下不同偏振方向的镜面反射分量的直流光谱分量和交流光谱分量,以及漫反射分量的直流光谱分量...
  • 本技术涉及一种基于FMCW体制的L波段地基树木穿透警戒雷达,包括:射频信号收发系统、雷达数据处理系统和天线,射频信号收发系统包括L波段发射链路、第一L波段接收链路和第二L波段接收链路,天线包括:L波段发射天线、第一L波段接收天线和第二L...
  • 本发明涉及计算机视觉领域,具体涉及一种基于提示修正和分层时序网络的弱监督视频异常方法及系统;对输入视频进行特征提取,得到初始视觉特征序列;对初始视觉特征序列进行分层时序处理,生成增强的视觉特征序列,根据所述增强的视觉特征序列计算每个视频...
  • 一种高隔离宽带基站共口径天线阵列,包括由下至上依次排列的金属地板、高频天线阵列、频率选择表面层和低频天线;金属地板起支撑作用,高频天线阵列负责天线阵列高频段辐射,频率选择表面层使低频天线与高频天线阵列电磁隔离,低频天线负责天线阵列低频段...
  • 大规模机器类通信网络任务复制与资源分配的可追溯方法,属于无线通信与移动边缘计算技术领域,包括:基于李雅普诺夫优化理论,建立物理与虚拟队列量化约束,将长期优化转化为每时隙“漂移加惩罚”最小化问题;接着分解为任务复制、资源块分配和边缘服务器...
  • 本发明公开了一种栅极刻蚀损伤原位修复方法及GaN HEMT器件,该方法包括提供衬底,在衬底上依次形成GaN外延层、源漏电极区和钝化层;源漏电极区包括源极和漏极;在钝化层进行栅槽刻蚀,形成栅槽;刻蚀深度延伸至GaN外延层内;采用N2和O2...
  • 本发明公开了一种HEMT器件的HPM损伤瞬态特性快速分析提取方法,包括:利用Sentaurus TCAD对二维结构模型的栅极施加HPM注入信号,得到第二I‑V曲线、第二C‑V曲线、第二直流参数集和第二交流参数集;利用ADS建立GaN H...
  • 本发明公开了一种基于截球形微Bump‑CTSV互连结构的等效电路建模方法,包括:构建包括顶部截球形微Bump、底部截球形微Bump和CTSV互连结构的截球形微Bump‑CTSV互连结构;计算CTSV互连结构的电感、电阻、介质电容、氧化层...
  • 本发明提供基于知识图谱的知识分类、冲突消解与知识融合方法,包括:对新策略分支进行预处理,得到新策略分支向量,并生成策略分支置信度;根据新策略分支向量和相似度阈值,利用余弦相似度的表达式,在检索范围内确定待处理相似策略分支列表;对待处理相...