西安电子科技大学专利技术

西安电子科技大学共有27358项专利

  • 一种基于IOAM的自适应高效网络节点遥测系统及方法,属于数字信息的传输技术领域,系统包括本地控制平面和数据平面,本地控制平面包括事件分析模块、配置管理模块、自适应决策引擎模块、策略库模块和上报管理模块,通过高速内部通信通道与数据平面交互...
  • 本发明公开了一种基于流体接入超表面的宽带消色差可编程电磁伪装装置,包括由多个周期性排列的超级单元组成的流体接入超表面;每个超级单元包括呈矩阵排列的多个单元;每个单元包括微流体通道层和固态金属层,且微流体通道层位于固态金属层的上方;微流体...
  • 本发明公开了一种基于单短截线的同轴硅通孔与重布线层的非连续性补偿方法,包括:确定三维集成电路中需要与重布线层连接来进行信号传输的第一同轴硅通孔;在重布线层与第一同轴硅通孔的互连处设置非连续性补偿结构,该非连续性补偿结构包括重布线层中的一...
  • 本发明涉及一种参考电压易驱动型模数转换器,属于集成电路领域,该模数转换器包括一个细SAR ADC和一个粗SAR ADC,当φSA、φS和φD为高电平时,将DAC位电容的顶板接VCM端、底板接输入信号端,φSA和φS先后降为低电平以完成对...
  • 本发明公开了一种微电网系统优化调度方法、装置和产品,涉及智能电网领域,用以提升微电网系统调度方案求解的效率和质量。本发明包括:构建描述各分布式单元调度方案的微电网优化模型;配置微电网优化模型的运行约束条件;以每一种调度方案作为一个粒子,...
  • 本发明公开了一种超高温碳化物陶瓷涂层与碳材料之间的梯度过渡层及其制备方法,主要解决现有技术中涂层与基体之间的过渡层结合力有限,容易脱落且制备方法繁琐的问题。方案包括:制备内层和外层构成的双层复合结构,内层与碳材料基体接触,为TaC含量极...
  • 本发明公开了一种用于城市空中交通的无人机自主导航方法,主要解决现有无人机自主导航模型训练成本高、效率低,飞行决策与风险评估不匹配的问题。方案包括:1)初始化飞行策略种群、风险评估种群及强化学习模块;2)通过动态融合适应度评估DFFE机制...
  • 一种基于多尺度球体组合优化的点云数据优化方法,其步骤为:依据点云的局部邻域分布去除离群点获得干净点集;基于点云密度自适应确定网格尺度并划分空间,建立网格结构。生成层次化覆盖空间的多尺度候选球体:大球覆盖平坦区域,中球结构过渡,小球表达局...
  • 本发明涉及一种防御本地差分隐私数据投毒攻击的方法,包括:S1、接收用户上传数据;S2、估计第一数据分布并计算初始对数似然值,将初始对数似然值作为对数似然链的第一个元素;S3、对从第一数据分布中抽样形成的合成数据集进行若干次扰动,使用期望...
  • 本申请提供了一种基于Inception‑ResNet‑Crop的多小区智能波束成形优化方法包括:根据具有多个小区的MU‑MISO系统中每个用户的实现速率,构建使MU‑MISO系统的总实现速率最大化的优化问题;将求解优化问题映射为求解从输...
  • 本发明公开了一种基于分布式巴伦结构的宽带功率放大器,包括依次连接的输入匹配网络、第一级放大器、级间匹配网络、第二级放大器以及分布式巴伦并联传输线结构,通过分布式巴伦并联传输线结构实现差分信号转单端信号的功能及最佳负载匹配,该放大器能够在...
  • 本发明公开了一种基于U‑KAN的空间目标ISAR图像部件分割方法,涉及ISAR图像部件分割技术领域,通过将获取的待测ISAR图像输入至训练完成的UD‑KAN网络,实现待测ISAR图像的部件分割;其中,UD‑KAN网络基于U‑Net网络架...
  • 本发明公开了一种基于AlScN调控的AlGaN/GaN异质结自驱动日盲探测器及制备方法,日盲探测器包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、AlScN吸收层以及电极;其中,AlGaN势垒层的材料表示为Al1‑yG...
  • 本发明涉及半导体存储器技术领域,特别涉及一种铪锆氧铁电介质层、铪锆氧铁电存储器及其制备方法;铪锆氧铁电介质层包含掺杂有二氧化锆的二氧化铪,二氧化锆的层数为二氧化铪与二氧化锆总层数的50%~70%,铪锆氧铁电介质层表面通过离子注入工艺注入...
  • 本发明公开了一种细粒度隐私信息传播控制策略生成方法及装置,属于隐私控制技术领域,包括:根据用户之间的社交图和扩散图得到亲密度异构图;根据图神经网络和亲密度异构图更新用户节点的节点嵌入表示,得到更新后的节点嵌入表示;根据更新后的节点嵌入表...
  • 本发明公开了一种机理驱动的箔条云雷达耦合表征与成像识别算法,包括基于矢量辐射传输‑逆合成孔径雷达进行成像,获取箔条云成像图;箔条云耦合要素分析,通过矢量辐射传输‑矩量法对获取的箔条云的散射要素进行解构理论;箔条云分类,建立基于灰度共生矩...
  • 一种基于AlScN调控的GaN HEMT反向耐压器件及其制备方法,器件包括依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层和介质层以及电极,所述沟道层的材料为GaN,所述势垒层的材料为Al1‑yGayN,所述沟道层与所述势垒层构成AlGa...
  • 本发明公开了一种基于模块化内凹偶极子的大曲率共形阵列天线。该阵列天线共形在圆柱面上,由M×N个双极化天线单元构成。天线单元的基本结构包括双极化内凹偶极子单元、渐变同轴线、铁氧体圆柱环、金属地板。双极化内凹偶极子单元由两层介质基板组成。渐...
  • 本发明公开了一种应用于卫星通信相控阵系统的辐射零点可调双极化天线,包括射频接头、辐射金属贴片、金属地板以及位于辐射金属贴片和金属地板之间的介质基板;辐射金属贴片包括四组金属片,任意相邻两组金属片间隔设置;射频接头的数量为四组,各射频接头...
  • 一种宽带大角度带通三层频率选择表面,由若干个频率选择表面单元周期性排列组成,所述频率选择表面单元由上至下排列依次包括第一电容层、电感层和第二电容层,每层之间留有空隙;第一或第二电容层均包括电容介质板和金属贴片,金属贴片包括分别覆盖在电容...