本实用新型公开了一种新型碳化硅MOSFET器件，包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底下端的漏极、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅极和源极，所述栅极包括层间介质和氧化物介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子...

本发明公开了一种碳化硅半导体器件，包括半导体衬底、缓冲层和导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层和多晶硅层，在所述导电外延层内设有阱区，在所述阱区内设有源区，其特征在于：所述栅介质层包括下层二氧化硅层、位...

本发明公开了一种新型碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括碳化硅衬底、缓冲层和位于缓冲层上的导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层，在所述导电外延层内设有阱区和第一类杂质离子区，在所述阱区内设有第二类杂...

本实用新型公开了一种碳化硅半导体器件，包括半导体衬底、缓冲层和导电外延层，在所述导电外延层上设有栅电极和源极，所述栅电极包括栅介质层和多晶硅层，在所述导电外延层内设有阱区，在所述阱区内设有源区，其特征在于：所述栅介质层包括下层二氧化硅层...