本发明属于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种嵌入式电极氮化铝静电卡盘及其制造方法；采用丝网印刷技术在氮化铝生坯表面预置钨浆电极图案；将印刷好电极的氮化铝生坯先进行排胶处理，然后在N2‑H2混合气氛中共烧；利用激光加工技术在静电卡盘表面...

本发明公开了一种自修复氮化铝复合静电卡盘及其制备方法，属于半导体制造设备技术领域。采用AlN‑SiCw复合材料（SiC晶须含量5‑8vol%）为基体，表面渗透含硼玻璃相（B2O3‑SiO2，软化点850℃）修复层，内部设置16个独立控温...

本发明属于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种梯度孔隙氮化铝静电卡盘及其制备方法，特别适用于5nm以下制程的刻蚀设备中对12英寸晶圆的高效、稳定吸附及处理。包括氮化铝基体；氮化铝基体具有梯度分布的孔隙结构，从表面到内部依次分为表面层、过...