本发明提供一种三维梯度散热结构及其制备方法，本发明的三维梯度散热结构包括，芯片；中介层，所述芯片倒装设置于所述中介层上；散热柱，设置于所述中介层内，所述散热柱的一端延伸至所述中介层靠近所述芯片的一侧并于所述芯片耦合，所述散热柱的另一端向...

本发明提供一种存储器件及其制作方法，属于半导体制造技术领域，该存储器件包括：CMOS晶圆，包括互补金属氧化物半导体器件，以及第一介电层，所述第一介电层上形成有第一金属焊接垫；FRAM晶圆，包括第二介电层，所述第二介电层上形成有第二金属焊...

本发明提供一种硅基电容结构及其制备方法，通过提供硅基衬底并在其上形成沟槽，随后在沟槽及衬底上依次形成绝缘层、n周期堆叠的导电层/介电层及顶层导电层，且顶层导电层未填充满沟槽以在沟槽内形成狭缝，有效优化了硅基电容的内部结构，该方法在使硅基...

本发明提供一种超结结构及其制备方法，其制备方法包括提供一衬底，形成N型外延层于衬底上，形成凹槽于N型外延层远离衬底的一面，形成P型导电柱，P型导电柱包括填充于凹槽中的主体部、自凹槽的底面往N型外延层中延伸的第一突出部及自凹槽的侧壁的预设...

本申请提供一种湿法刻蚀方法及湿法刻蚀设备，其中，将晶圆表面由中心至边缘依次划分出同心分布的第一至第n个刻蚀区，第一刻蚀区为圆形，第二至第n刻蚀区为环形；且设置与第一至第n个刻蚀区相对应的第一至第n个环形喷淋区；第i个环形喷淋区覆盖晶圆的...

本发明提供一种存储器封装结构及其封装方法，本发明的存储器封装结构包括衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面，自所述第一表面至所述第二表面，所述衬底内至少形成有两个凹槽；至少两个芯片堆叠结构，分别位于所述凹槽内，所述芯片堆叠结构沿所述衬底...

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过在衬底的上表面依次形成底层介质层、图形化的刻蚀延缓层以及包含互连介质层和互连金属层的互连层，并采用深孔刻蚀工艺从衬底的下表面依次刻蚀衬底、底层介质层及刻蚀延缓层，并裸露出底层互连金属层下表面形成...

本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法，包括以下步骤：提供一发光结构；于发光结构上形成掩膜层，掩膜层上具有暴露发光结构的开口；将混合能量离子通过开口注入发光结构，以形成若干阵列单元。其中，混合能量离子包括第一能量离...

本发明涉及一种键合界面质量检测方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；分别对第一晶圆和第二晶圆进行表面亲水性处理；在第一晶圆或第二晶圆的键合面贴附亲水性薄膜；在两晶圆的键合面对准贴合进行预键合后进行退火处理，使两晶圆键合界面的亲水性薄膜变为...

本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，属于半导体技术领域。半导体制造方法包括以下步骤：提供第一半导体衬底；在第一半导体衬底之上形成第一介电层；对第一介电层进行图形化以形成第一沟槽；在第一介电层之上沉积金属，以形成填充于第一沟槽内的金...

本发明涉及一种晶圆厚度测量方法、系统及存储介质，该方法包括以下步骤，S1：提供多个带有金属层的晶圆；S2：基于晶圆不同层的材质及结构在晶圆表面进行非金属区域规划，确定晶圆的非金属区域；S3：在晶圆的非金属区域内选取预定测量点，采用红外光...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种垂直渐变掺杂器件制造方法及半导体器件。该方法通过提供半导体基底，在半导体基底上形成P柱区域和N柱区域，其中，该半导体器件由最外层的外延层向半导体基底的方向，P柱掺杂浓度由上到下递减，N柱区域掺杂...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种改善3D晶圆堆叠效能的方法及半导体结构。在晶圆氧化物层内设置有金属互连结构，由键合面侧在所述氧化物层开设通孔，通孔连通所述金属互连结构并填充导体层；一晶圆与另一晶圆的键合面相对，两晶圆的导体层连...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种改善3D晶圆堆叠漏电的方法及半导体结构。提供晶圆，晶圆包括基底层和氧化物层，氧化物层一侧为键合面，基底层一侧为底面；在氧化物层内设置有金属互连结构，由键合面侧在所述氧化物层开设通孔，通孔连通所述...

本发明设计一种晶圆键合对准方法、系统及晶圆键合方法，该对准方法包括以下步骤：提供带有缺口标记的第一晶圆和第二晶圆，将第一晶圆和第二晶圆相对固定在晶圆承载台上，依次移入晶圆键合腔，使用晶圆键合腔中的第一传感检测组件和第二传感检测组件分别采...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种先进封装TSV标识对准封装方法、封装结构及封装对准系统。从键合面一侧对准标识所在位置加工TSV窗口槽结构，能够从晶圆的键合面TSV窗口槽结构的位置识别晶圆背面的对准标识；由键合面一侧沉积氧化物介...

本发明涉及一种半导体制造方法及半导体结构，其中，该半导体制造方法至少包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底需要进行隔离的一侧的表面形成氧化物层；执行离子注入工艺，向氧化物层和半导体衬底中掺杂杂质；在掺杂了杂质后的氧化物层之上形成氮...

本发明属于半导体技术领域，提供一种掩模版及光刻工艺。掩模版第一图形器件区域为纳米压印光刻图形区域，为非透光图形区域，包括用于进行纳米压印的电子芯片图形；第二图形器件区域为接触式/接近式光刻图形区域，为透光光罩区域，包括用于曝光的电子芯片...

本发明设计一种化学品供应系统及控制方法，该系统包括：存储装置、喷洒装置和控制终端；其中，存储装置分别通过第一管路、第二管路和喷洒装置连通，以向喷洒装置供给或回收化学品；第一管路和第二管路中均设有过滤装置；喷洒装置包括化学品腔室、第一阀门...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种混合键合方法及混合键合结构。第一半导体结构和第二半导体结构的加工方法均包括：半导体基底包括衬底和形成在衬底表面的介质层，介质层上间隔形成有金属区域，绝缘层覆盖介质层及金属区域；在绝缘层的表面刻蚀，形成若...