本发明涉及埋栅结构石墨烯晶体管的制备工艺，以单晶硅为衬底，在上面高温氧化生成1微米厚的二氧化硅，氧化温度为1100℃，氧化时间为干氧30分钟，湿氧140分钟，干氧30分钟，气体流量为干氧1L/min，湿氧0.4L/min，在样品表面做一...