本发明具体为一种改善翘曲的沟槽型集成电路芯片及其制备方法，包括位于芯片的中心区的元胞区，所述元胞区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型外延层及位于第一导电类型外延层的下表面的第一导电类型衬底，在第一导电类型外延层内设置有若干均...

本发明涉及沟槽型IGBT半导体器件结构的改进，具体为SiC基分裂栅沟槽型IGBT半导体器件结构及制造方法，在不增加现有工艺难度和制造成本的前提下完成对较高电流密度的SiC基IGBT半导体器件的制造；包括第一类导电型衬底(1)；设置第一类...