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无锡思泰迪半导体有限公司专利技术
无锡思泰迪半导体有限公司共有102项专利
一种CMOS温度传感器电路制造技术
本发明涉及传感器技术领域,具体为一种CMOS温度传感器电路,其能够保证宽温度范围的同时,降低功耗和成本,其包括:电流发生器,产生与温度成正比的电流,包括VDD、PMOS管PM1和PMOS管PM2;双向电流积分器,将电流做正向或负向的积分...
一种宽电压输入范围的线性稳压电路制造技术
本实用新型涉及功率系统电路技术领域,具体为一种宽电压输入范围的线性稳压电路,电路结构简单,降低成本,能够处理比较宽的电压范围,其包括由PMOS管P101、PMOS管P102、NMOS管N103、NMOS管N104、电阻R105构成电流发...
一种高性能步进电机微步细分编码方法技术
本发明涉及步进电机控制技术领域,具体为一种高性能步进电机微步细分编码方法,其能够有效提高PWM波形调制精确度,并且减小步进电机在运行中的音频噪声与H桥产生的电磁辐射,将微步细分波形拆分为两组幅值减半且相位相反的波形,采用随机方向斜波模块...
一种应用于电机驱动的H桥自适应衰减控制系统技术方案
本发明涉及电机驱动技术领域,具体为一种应用于电机驱动的H桥自适应衰减控制系统,其能够根据外部因素实时自适应调节快/慢衰减的比例,从而确保H桥在各种工作状态下均能保持较好的性能,从而提高H桥电路驱动的电机性能,其包括H桥、数字控制模块、模...
高精度带隙基准电压源电路制造技术
本实用新型涉及模拟电路技术领域,具体为一种高精度带隙基准电压源电路,其能够消除传统结构中运算放大器的失调电压对基准电压的影响,大大提高基准电压的精度,其包括电源VDD,所述电源VDD连接MOS管M0的源端,所述MOS管M0的漏端连接电阻...
一种高精度带隙基准电压源电路制造技术
本发明涉及模拟电路技术领域,具体为一种高精度带隙基准电压源电路,其能够消除传统结构中运算放大器的失调电压对基准电压的影响,大大提高基准电压的精度,其包括电源VDD,所述电源VDD连接MOS管M0的源端,所述MOS管M0的漏端连接电阻R1...
供电状态判断装置制造方法及图纸
本实用新型属于电源领域,具体为一种供电状态判断装置,其能够简化短路,减少芯片面积,降低成本,其包括两个并联布置的电流源,两个电流源一端与第一电阻R1、电源连接,第一电阻R1另一端连接第二电阻一端,第二电阻另一端连接上部迟滞比较器的正相输...
四相五线步进电机驱动IC制造技术
本实用新型涉及电机驱动技术领域,具体为一种四相五线步进电机驱动IC,其能够对异常情况起到保护作用,减少控制难度,其包括芯片本体,所述芯片本体上设置有VCC脚、OUT脚、GND脚和控制脚,其特征在于,所述芯片本体包括Logic控制模块,所...
一种自适应衰减控制方法技术
本发明涉及电机控制技术领域,具体为一种自适应衰减控制方法,其能够大大降低生产成本和时间,保证驱动电机平稳安静的运转,其包括电机和检测控制模块,所述检测控制模块检测相关电机数据并进行整理,并选取合适的衰减方式,驱动电机平稳安静的运转。驱动...
基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构制造技术
本实用新型涉及隔离放大器技术领域,具体为一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构,其能够在有限的耦合带宽限制下获得更高性能的信号放大功能,其包括发送端模块、接收端模块、磁耦合器件,所述发送端模块包括前置放大/滤波模块,其特征在于,所述前置...
一种供电状态判断装置制造方法及图纸
本发明属于电源领域,具体为一种供电状态判断装置,其能够简化短路,减少芯片面积,降低成本,其包括两个并联布置的电流源,两个电流源一端与第一电阻R1、电源连接,第一电阻R1另一端连接第二电阻一端,第二电阻另一端连接上部迟滞比较器的正相输入端...
一种数字信号调制系统技术方案
本实用新型涉及隔离放大器技术领域,具体为一种数字信号调制系统及方法,其能够有效解决带传输信号干扰的问题,其包括发送端模块和接收端模块,其特征在于,所述发送端模块和所述接收端模块之间通过磁耦合电路,所述磁耦合电路包括线圈和磁传感器,所述发...
基于磁场耦合的隔离放大器结构制造技术
本实用新型涉及隔离放大器技术领域,具体为一种基于磁场耦合的隔离放大器结构,其能够实现发送端、接收端、耦合器件集成于一个芯片,其包括发送端模块、接收端模块和耦合器件,其特征在于,所述发送端模块包括顺次连接的前置放大器/滤波器、脉冲宽度调制...
一种四相五线步进电机驱动IC制造技术
本发明涉及电机驱动技术领域,具体为一种四相五线步进电机驱动IC,其能够对异常情况起到保护作用,减少控制难度,其包括芯片本体,所述芯片本体上设置有VCC脚、OUT脚、GND脚和控制脚,其特征在于,所述芯片本体包括Logic控制模块,所述L...
一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构制造技术
本发明涉及隔离放大器技术领域,具体为一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构,其能够在有限的耦合带宽限制下获得更高性能的信号放大功能,其包括发送端模块、接收端模块、磁耦合器件,所述发送端模块包括前置放大/滤波模块,其特征在于,所述前置放大...
H桥短路保护电路制造技术
本实用新型涉及模拟集成电路领域,具体为一种H桥短路保护电路,其能够让H桥没有短路电流流过,保护PMOS管,其包括比较器COMP1和比较器COMP,比较器COMP1的输入端连接电阻R0一端、PMOS管PM2的漏端,PM2的源端连接VDD和...
一种实现步进电机驱动匀加速启动的数字电路方法技术
本发明涉及步进电机驱动技术领域,具体为一种实现步进电机驱动匀加速启动的数字电路方法,能够既满足步进电机匀加速的平滑过程又不影响电机运动过程的整体速度,其包括以下步骤:(1)振荡器和sine波发生器分别接收到启动信号,振荡器给sine波发...
一种数字信号调制系统及方法技术方案
本发明涉及隔离放大器技术领域,具体为一种数字信号调制系统及方法,其能够有效解决带传输信号干扰的问题,其包括发送端模块和接收端模块,其特征在于,所述发送端模块和所述接收端模块之间通过磁耦合电路,所述磁耦合电路包括线圈和磁传感器,所述发送端...
一种基于磁场耦合的隔离放大器结构制造技术
本发明涉及隔离放大器技术领域,具体为一种基于磁场耦合的隔离放大器结构,其能够实现发送端、接收端、耦合器件集成于一个芯片,其包括发送端模块、接收端模块和耦合器件,其特征在于,所述发送端模块包括顺次连接的前置放大器/滤波器、脉冲宽度调制器、...
高压的稳压电路制造技术
本实用新型属于模拟集成电路技术领域,具体为一种高压的稳压电路,其能够使charge pump电路输出电压稳定在一定范围内,不会对器件造成损伤,电阻R0一端连接第三PMOS管PM3的源端、第二PMOS管PM2的源端、第四PMOS管PM4的...
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