【技术实现步骤摘要】
一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构
本专利技术涉及隔离放大器
，具体为一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构。
技术介绍
在芯片应用领域，经常会出现需要芯片进行两个电压域之间的信号传输/放大，这种传输/放大必须在不同的供电系统中进行，所以被称为隔离放大器。磁场耦合作为一种非电信号耦合方式，具有空间隔离性好、耦合带宽幅度响应平坦、半导体集成度高等诸多优点。但是芯片上集成的磁传感器（如：霍尔器件、磁阻器件）其响应速度较慢，通常最高响应频率从几百千赫兹到几兆赫兹不等，这就造成可以耦合的放大器信号带宽有限，无法满足宽带信号的放大要求。另一方面，为了降低芯片成本，常用隔离芯片采用普通封装，无法对外部磁场干扰进行屏蔽。为了在干扰条件下对待传输信号进行耦合，通常采用数字信号耦合的方式进行，由于数字信号中天然存在的量化噪声，通过这种方式传输模拟信号无疑会进一步限制待传输信号的带宽。由于数字信号天然具有比模拟信号更强的抗干扰特性，磁场耦合选择采用数字信号进行耦合，现有的隔离放大器见图1所示，在发送端，主要包括前置放大...
【技术保护点】
1.一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构，其包括发送端模块、接收端模块、磁耦合器件，所述发送端模块包括前置放大/滤波模块，其特征在于，所述前置放大/滤波模块顺次连接N比特Delta-Sigma调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次布置的放大整形电路、并行/串行转换器、低通滤波器，所述磁耦合器件对应设置N+1个，N为正整数。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于磁场耦合的高性能隔离放大器结构，其包括发送端模块、接收端模块、磁耦合器件，所述发送端模块包括前置放大/滤波模块，其特征在于，所述前置放大/滤波模块顺次连接N比特Delta-Sigma调制器、电流源开关组，所述接收端模块包括顺次布置的放大整形电...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄海滨，蒋赛尖，
申请(专利权)人：无锡思泰迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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