武汉市福志成科技有限责任公司专利技术

武汉市福志成科技有限责任公司共有2项专利

  • 本发明涉及一种用于大功率射频源的高性能末级输出系统,包括:腔体,设置在腔体内的电感和电容,电容包括第一电容和第二电容;电感的一端外接大功率射频源的功率放大器,电感的另一端分别与第一电容和第二电容的一端连接,第一电容的另一端为射频输出端,...
  • 本发明涉及一种具有自补偿功能的射频匹配箱,包括:位于壳体内的平板电容,其包括:金属间隔座,以及水平放置且从下往上依次间隔排列的低压电容调节片、高压电容固定片和高压电容调节片;高压电容固定片的一端与壳体绝缘固定连接,另一端与电感耦合等离子...
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