本技术提供一种半导体晶圆电镀槽，涉及电镀槽技术领域，包括：电镀槽本体，所述电镀槽本体内腔一端的内侧固定连接有隔板，所述电镀槽本体内腔的一端开设有导流槽一，所述电镀槽本体内腔的另一端开设有导流槽二。本技术，向调配槽的内腔加去离子水，通过外...

本技术涉及焊接机构技术领域，且公开了一种半导体器件的焊接机构，包括支撑架，支撑架的内部连接有输送机构，支撑架中部的两侧均固定连接有垫高板，两个垫高板的上端同时连接有焊接机构，焊接机构位于输送机构中部的上方，输送机构的上表面连接有若干支撑...

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种单向低容大回扫ESD芯片的制备方法，其包括选取N+衬底并生长N‑外延层、通过埋层工艺和掺杂形成垂直结构SCR器件、利用深槽隔离技术和金属连接优化芯片性能。本发明能够通过垂直结构设计缩小芯片尺寸，提...