电阻式存储器元件的高电阻状态HRS的编程。一种对电阻式随机存取存储器（MEM）的存储器元件（Stck）部分的高电阻状态进行编程的方法（100），该方法（100）包括：写入存储器元件（Stck）的高电阻状态的初始步骤（S110）；以及在写...

用于保持基于氧化物的随机存取存储器(OxRAM)的高电阻状态(HRS)和低电阻状态(LRS)的改进堆叠结构。一种用于电阻式随机存取存储器单元的电阻式堆叠体(Stck)包括：第一电极(El1)；第二电极(El2)；介电层(Diel)，该介...

本发明涉及在共享源线位单元架构中具有减小的干扰电流的电阻式随机存取存储器ReRAM。所述ReRAM包括位单元的阵列，每一个位单元都包括ReRAM电阻器，所述阵列包括：包括第一位线和一个源线的第一列的位单元以及包括第二位线和所述一个源线的...