本发明公开了一种同时具有续流与浪涌保护功能的GaN功率器件合封模组，包括GaN HEMT器件和SiC TVS，GaN HEMT器件的漏极与SiC TVS的阴极相连作为整个模组的漏极；所述GaN HEMT器件的源极与SiC TVS的阳极相...