高低结多子电导调制功率MOSFET器件是在常规功率MOSFET的P-基区与N-漂移区之间插入一个掺杂浓度比N-区高得多之N层的改进型功率MOSFET器件。这N层与N-层构成具有多子注入功能的N/N-高低结。器件处于开态时，漏极电压恰好给...

ＭＯＳ栅基极开关四极管是在双极器件（双极晶体管或晶闸管中一个双极晶体管）的基极通道上加设ＭＯＳ控制栅的一类新的四端子ＭＯＳ栅功率开关器件。它结合ＭＯＳ栅驱动电路简单及双极器件大电流密度传导能力的优点，并有放大开关功能。给出了平面栅和沟槽...