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通用电气公司专利技术
通用电气公司共有18501项专利
具有很高热导率的单晶金刚石制造技术
已发现由同位素纯碳-12或碳-13组成的单晶金刚石具有的热导率高于以往知道的任何物质的热导率,一般至少比天然ⅡA型金刚石高40%。这种金刚石可通过以下方法制备,包括把高同位素纯度的金刚石磨碎,被磨堆的金刚石是用同位素纯的烃与氢混合并进行...
计算机X射线断层照相机制造技术
所选的闪烁体材料是以透明块的形式提供的,用在如CT扫描系统这样的系统中,利用的是为提供所需发光的激活剂离子的石榴石基质材料。该石榴石基质材料最好包括钆作为其组份之一,以便以棒的形式提供具有高X射线(被检测的辐射是X射线辐射)遏止功率的透...
计算机X射线断层照相机装置制造方法及图纸
发光体中产生余辉的重要因素是闪烁体材料中空穴陷阱中释放出来,通过在闪烁体组分中加入一种空穴俘获物可以显著降低余辉,这种空穴俘获物成功地与基础闪烁体组分中的空穴陷阱相竞争。在用铬激发的钆镓石榴石中,铈、铽或镨的加入将以这种方式降低余辉。
透明的多晶石榴石制造技术
能用作激光材料、发光的X射线闪烁体材料和其它应用的具有所需性能的透明多晶石榴石体,是经将所需阳离子的氯化物原料溶液同碱性的铵溶液混合以产生具有大体均匀组分的沉淀得到的,进一步加工能得到所需透明体。将此沉淀物同该溶液分离、干燥、在700至...
同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法技术
本发明涉及一种由同位素纯的碳-12和碳-13所组成的单晶金刚石的制造方法。在本发明中,同位素纯的单晶金刚石是直接由同位素纯的碳-12或碳-13在一个单晶基体上形成的。
采用籽晶使多晶氧化铝到兰宝石的固态热转换制造技术
将多晶陶瓷体整体转换成化学组成相同且和籽晶晶向相同的单晶体的固态方法,包括将所说体加热,在该体和籽晶之间形成整体结合,将该结合体加热以减少晶粒生长抑制剂并进一步加热至结晶材料的晶体生长所需的最小温度以上,但在其转换成单晶期间并不热到能使...
多晶氧化铝到兰宝石的固态热转换制造技术
一种将致密多晶陶瓷体转换成单晶体的固态方法已被实施,该方法是将多晶料加热至该物料熔点二分之一以上,但低于物料熔点的温度。由于该方法是一种固态方法,所以不需要熔化该陶瓷体以将其转换成单晶。该方法已被用于将含有小于100WPPm氧化镁的致密...
半导体圆片的热处理器制造技术
一种用于处理至少一个半导体圆片的热处理器包括一能吸持至少一个半导体圆片的反应室,反应室材料基本能透射波长范围在200-800nm的光。涂层包括的基本上能反射红外辐射的材料可涂在至少一部分反应室上。光源通过涂层和反应室向至少一个半导体圆片...
用于制造定向凝固铸件的方法和装置制造方法及图纸
一种用于制造定向凝固铸件的方法,该方法能够提高一个铸型或多个铸型的可靠性,所述方法包括下列步骤: 在一个熔铸炉的加热区域中将所述铸型加热到一个预定的温度; 将初始足量的熔融超合金材料浇注到位于所述加热区域中的所述铸型内以使熔...
单晶转变控制制造技术
多晶态物品在固态工艺被转变成单晶。加热物品的一端达到预定的空间温度曲线,该曲线的最高温度接近物品的熔点温度。保持温度曲线,在物品的第一端引发晶态转变。热量沿物品传向与其相对的另一端,因此可在沿着物品的方向上传播晶态转变。
第III主族金属氮化物晶体的高温高压生长制造技术
本发明披露了形成至少一种第Ⅲ主族金属氮化物单晶的方法,该方法包括下述步骤:将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100,其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第Ⅲ主族金属;密封所述反应器100;将所述反应器100加热至预定温度,...
具有可控脱玻作用的熔凝石英制品制造技术
一种熔凝石英制品如马弗管或坩埚,其具有提高的抗蠕变力。抗蠕变力提高是该熔凝石英制品的可控脱玻作用的结果。可控脱玻作用是通过用如钡、锶和钙的金属阳离子掺杂的胶态二氧化硅浆液涂敷该制品而获得的。在大约1000-1600℃的温度下浆液中的金属...
具有降低的气泡含量的石英坩锅及其制造方法技术
公开一种具有降低的/控制的气泡含量的石英坩锅,其含有外层和用元素及化合物掺杂的内层,该元素及化合物:a)在或接近石英的熔化温度下与氧气和氮气反应;且b)形成在高于1400℃温度下热稳定的且在SiO↓[2]环境中化学稳定的化合物。还公开一...
降低晶体缺陷密度的方法技术
一种在高压高温(HP/HT)下消除非金刚石晶体中缺陷或应变的方法,从提供含缺陷晶体和压力介质开始,将晶体和压力介质放置在高压小容器中,再置于高压设备中,在足够高压高温的反应条件下处理到足以消除其单晶体中一种或多种缺陷或解除应变的时间。
第Ⅲ主族金属氮化物晶体的高温高压生长制造技术
本发明披露了形成至少一种第Ⅲ主族金属氮化物单晶的方法,该方法包括下述步骤:将熔剂材料106和源材料102提供至反应器100,其中所述源材料包括至少一种选自铝、铟和镓的第Ⅲ主族金属;密封所述反应器100;将所述反应器100加热至预定温度,...
硅脱模涂层、其制备方法及其使用方法技术
一种制备脱模涂层的方法,所述方法包括以下步骤:制备包含如下组分的混合物:(a)包含(i)20-99%重量硅和(ii)1-80%重量氮化硅的固体组分和(b)溶剂;将所得混合物施加到适合形成包含硅的锭或片的坩埚或石墨板的内部;在1000-2...
用于制造燃气涡轮发动机的方法和装置制造方法及图纸
本文提供了制造燃气涡轮发动机的部件(118)的方法和装置。本方法(200)包括将非自耗性护罩(206)设置在部件的边缘(136)的附近,从而在护罩和部件之间形成了间隙(210),其中护罩和间隙形成了边缘附近的流体流动限制,并通过电解槽将...
反射电阻覆盖层和涂覆到复合结构上的方法技术
公开了其上有覆盖层的复合和涂覆该覆盖层的方法。该复合(64)最好为在涂覆覆盖层前能承受至少600°F温度的聚合复合。覆盖层(60)由于其反光性而能耐受更高温度。此外,覆盖层(60)在通电时具有所需电特性。例如,电阻覆盖层(60)可赋予该...
从镀膜操作除去金属的方法技术
本发明涉及用于除去金属的化合物和方法,例如,从无电镀膜操作中除去离子钴,优选除去后的水平小于5ppm。接着,金属可以被填埋或为电解提取和再利用而再生。本发明使用一种离子交换介质,该介质含有硅石骨架并被膦酸盐基团官能化。
采用使非金属前体化合物还原和熔化的方法生产金属制品技术
一种采用以下步骤生产的金属制品(20),提供一种或多种包含金属组分元素的非金属前体化合物;和化学还原非金属前体化合物,从而生产出初始金属颗粒(22),而又不致熔化这初始金属颗粒(22),颗粒优选地具有不大于约0.070英寸的尺寸。随后,...
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