本发明属于一种低温制备具有柔性基底的复合铁电薄膜及其制备方法领域。本发明所述的柔性复合铁电薄膜的制备方法如下：采用溶胶凝胶的方法配制前驱体溶液，然后旋转涂覆在柔性基片上，将涂覆好的薄膜浸渍在９０－３００℃的水热环境中热处理１０～３０小时...

本发明涉及一种结合化学方法和物理方法制备的复合薄膜热释电红外探测器的探测元技术领域。本发明所述的热释电红外探测器的探测元是以单晶硅或与二氧化硅的复合体为衬底，多孔二氧化硅薄膜为热绝缘层，致密二氧化硅薄膜为过渡层，铂为底电极，ＬＮＯ薄膜为...

本发明公开了一种可用于可调微波器件的复合陶瓷材料。本发明所述的用于介电可调微波器件的复合陶瓷材料由以下组分组成：ＢａＺｒ↓［ｘ］Ｔｉ↓［（１－ｘ）］Ｏ↓［３］（ｘ＝０．２５～０．４０）４０．０ｗｔ％～９５．０ｗｔ％、Ｍｇ↓［２］ＴｉＯ↓...

一种具有低烧结温度特性的铁电压电陶瓷，其组分为（１－ｘ－ｙ）ＰｂＺｒＯ↓［３］－ｘＰｂＴｉＯ↓［３］－ｙＢｉ（Ｚｎ↓［１／２］Ｔｉ↓［１／２］）Ｏ↓［３］＋ｚｗｔ％ＭｎＯ↓［２］：ｘ＝０．３０～０．５０，ｙ＝０．０５～０．２５，ｚ＝０．...

本发明涉及一种能提高ＣｄＴｅ纳米复合薄膜发光强度的方法。先用摩尔比为１∶１．７－２．０的硼氢化钠与碲粉制得ＮａＨＴｅ溶液，然后将其加入ＣｄＣｌ↓［２］和巯基丙酸混合溶液中，加入量按ＣｄＣｌ↓［２］∶ＮａＨＴｅ∶巯基丙酸＝２∶１∶２～８摩...

本实用新型涉及一种对压电陶瓷进行高温极化的装置领域。本实用新型中所述的对压电陶瓷进行高温极化的装置包括：Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］基片１、安装在此基片上的纵夹具２和横夹具３，其中纵夹具２和横夹具３都是由镀银黄铜块和高温弹簧制成，并分别与高压...

一种用于压电器件的烧渗镍电极，先将镍粉与松油醇、蓖麻油、松节油、松香混匀，再加入玻璃体或氧化银粉制成镍浆。涂敷于除油清洗好的压电陶瓷表面，烘干，然后在Ｎ↓［２］气保护下４００－８００℃烧渗制成镍电极。烧渗镍电极的电学和机械性能均达到现在...

一种制造ＣＢ结构耐压层的方法，它是将一块ｎ型半导体片与一块ｐ型半导体片各自均刻了槽，ｎ型材料有槽的地方恰好是ｐ型材料没有槽的地方，反之亦然。两块半导体片的槽深相等，将两块半导体片相对接，使两块半导体片的槽被彼此相互填满，再进行化学键合，...

一种用于高压功率器件的在器件特征层及接触层之间的耐压层，它是由一种（或两种）导电类型的半导体（Ｓ）与一种高介电系数的介质（ＨＫ）的两个（或三个）区构成，在平行于耐压层和接触层的剖面上，半导体和介质交替排列。

一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法，其特征在于：是用人工活性膜作为模板一步制得，具体步骤如下：第一步是将表面平整光滑的玻璃片浸没于市售的胶棉液中，重复提拉两次，自然干燥，剥离，得厚薄均匀，且厚度控制在０．１ｍｍ～０．５ｍｍ、尺寸和形状...

一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法，涉及一种通过对衬底材料表面图形化提高ＧａＮ基材料外延膜层质量的方法。在外延生长前，直接对Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｓｉ、ＧａＡｓ等衬底材料表面进行图形化；先沿一个晶向，按０．２～２０μｍ宽度，...

本发明属功能材料技术领域，具体为一种多孔聚合物压电驻极体薄膜的制备方法。该方法包括多孔聚合物薄膜的制备和充电两个部分，其中，多孔聚合物薄膜的制备过程为：将不同熔点的聚合物薄膜层叠成为复合膜系，在膜的一面或两面设置栅网，然后在一定温度下施...

本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域，具体为碳化硅／二氧化硅（内芯／外层）同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅／二氧化硅（内芯／外层）同轴纳米电缆的制备方法如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放...

本发明属于制备非铅系锡钛酸钡ＢＴＳ铁电薄膜的方法领域。本发明所述的Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ↓［３］铁电薄膜的制备方法，其中成分锡所用的原料是二丁基氧化锡（（Ｃ↓［４］Ｈ↓［９］）↓［２］ＳｎＯ）。与醋酸锡相比，本发明所使用的原材料二丁基氧化...

本发明涉及一种铁电薄膜，具体涉及一种采用化学方法制备钛酸锆钡（ＢＺＴ）铁电薄膜的方法技术领域。本发明所述的性能优化的（Ｂａ，Ｚｒ）ＴｉＯ↓［３］铁电薄膜的制备方法，其具体步骤是：先用溶胶－凝胶法配制前驱体溶液，然后将前驱体溶液涂覆在衬底...

本发明公开了一种稀土氧化物掺杂改性的锆钛酸钡介电可调陶瓷材料，其分子式为Ｂａ↓［１－ｘ］Ｍ↓［ｘ］（Ｔｉ↓［１－ｙ－０．２５ｘ］Ｚｒ↓［ｙ］）Ｏ↓［３］，其中，Ｍ为稀土元素，ｘ＝０．００１～０．０５；ｙ＝０．１～０．５。本发明还公开了一...

本发明属于采用溶胶－凝胶法低温制备复合铁电薄膜的技术领域。本发明所述的复合铁电薄膜的低温制备方法如下：首先采用溶胶凝胶法配制前驱体溶液并在衬底Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ和Ｔｉ上旋转涂覆所需厚度的薄膜，每层薄膜的热处理温度为３００～...

本发明属有机半导体材料技术领域，具体涉及一种不对称酞菁材料及其制备方法。该方法利用无机载体法和多步反应法可制备一种不对称酞菁材料，其产率可达２０％以上，分离和纯化简单方便，它克服了传统的不对称酞菁的分离纯化困难和产率较低（３％）等难题，...

本发明属于一种采用溶胶－凝胶方法制备非铅铁电复合薄膜的技术领域。本发明所述的与半导体工艺兼容的非铅系铁电薄膜的制备方法，先用溶胶凝胶法配制前驱体溶液，在基片上旋转涂覆所需厚度的薄膜，然后将涂覆好的薄膜放在２００－４００℃、５－１５ＭＰａ...

本发明属于光学功能材料无机合成技术领域，具体涉及一种近紫外ＬＥＤ用白光荧光粉的制备方法。具体步骤为：将稀土氧化物和激活剂溶于浓硝酸中，加热蒸干，用去离子水溶解所得稀土硝酸盐，得到稀土硝酸盐溶液；激活剂与基质稀土离子的摩尔比为０．０１～０...