本发明公开了一种基于新型能源的风力发电设备，涉及风力发电技术领域，包括有底座，所述底座的上部转动连接有对称分布的丝杆，对称分布的所述丝杆之间共同螺纹连接有移动板，所述移动板转动连接有第一传动轮，所述移动板转动连接有转轴，所述移动板的一侧...

本发明涉及锂电池加工领域，尤其涉及一种勃姆石电池极片加工设备及方法，包括有辅助切割组件，辅助切割组件包括有与第二壳体对称滑动连接的第一固定板和第二固定板，第一花键杆与第一固定板固接，第一固定板和第二固定板分别固定连接有第二花键杆和对称设...

本发明公开了一种湿法锂电池隔膜干燥系统及方法，涉及电池隔膜技术领域，包括有干燥组件，干燥组件用于对隔膜进行干燥处理，干燥组件包括有等距分布的第二固定架，第二固定架转动连接有转动辊，第一固定架固接有加热架，加热架固接有与控制面板电连接的电...

本实用新型公开了一种新药研发一体化实验装置，包括装置箱体，所述箱体内腔左右面对称开有导向卡槽，所述导向卡槽内活动连接有隔板，所述隔板右端部固定插接有导药管，所述导药管上端部设有进液套，所述导药管右端部活动插接有插板，所述插板右端部设有拉...

本实用新型提供了一种常压低温等离子体电源装置，包括：主体、面板、散热孔板；所述主体呈矩形箱体状结构，且主体的前部设置有面板；所述散热孔板设置在主体的侧部，且散热孔板与主体为一体式结构；所述边框设置在主体的侧部，且边框与主体通过焊接方式相...

本实用新型公开了一种实用的大功率低温等离子电源，包括电源外壳，电源外壳的顶部设置有连接板出口，连接板出口的内侧分别设置有正极连接板和负极连接板，负极连接板的一侧设置有负极连接板口，电源外壳的两侧均设置有固定板，螺丝柱的外侧分别设置有电源...

本发明提供了基于石墨烯的探测器作为非接触式静电探测器的应用，所述的探测器包括Si/SiO2衬底、设在Si/SiO2衬底上的石墨烯和设在石墨烯上的金属电极；所述的Si/SiO2衬底由底部的Si和Si上方的SiO2组成；所述的Si是轻掺杂S...

本发明提供了一种基于可降解生物传感器的心肌细胞生长状态监控系统，所述的心肌细胞生长状态监控系统包括可降解生物传感器以及源表测试设备；所述的传感器包括玻片衬底、设在玻片衬底上的黑磷和设在黑磷上的金属电极；所述的衬底为玻片；所述的黑磷为致密...

本发明提供了一种基于石墨烯‑硅（Si）异质结的无源位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si衬底、设在Si衬底上的石墨烯，设在石墨烯上的金属电极和设在Si衬底背面的金属电极；所述的Si衬底是轻掺杂Si衬底，电阻率为1‑10Ωcm；所述的石墨...

本发明提供了一种基于石墨烯的位置灵敏探测器，所述的探测器器包括Si/SiO2衬底、设在Si/SiO2衬底上的石墨烯和设在石墨烯上的金属电极；所述的Si/SiO2衬底由底部的Si和Si上方的SiO2组成；所述的Si是轻掺杂Si衬底，其掺杂...

本实用新型公开了一种石墨烯光电探测器。该探测器的结构从上至下依次包括：金/镍层作为源极和漏极连接外部电路；石墨烯作为电子传输层；二氧化硅作为绝缘介质层；半导体纳米结构作为光吸收载体；硅衬底作为栅电极。该探测器的工作波段可依据采用半导体纳...

本实用新型公开了一种基于复合衬底的石墨烯光电探测器，源极和漏极连接外部电源，单层石墨烯电子传输层设置在绝缘介质层之上；绝缘介质层下方设置栅电极层；所述漏极和栅电极层通过栅电源连接；所述栅电极层采用电导率为1‑10Ωcm的轻掺杂硅。该探测...

本发明公开了一种石墨烯光电探测器。该探测器的结构从上至下依次包括：金/镍层作为源极和漏极连接外部电路；石墨烯作为电子传输层；二氧化硅作为绝缘介质层；半导体纳米结构作为光吸收载体；硅衬底作为栅电极。该探测器的工作波段可依据采用半导体纳米结...

本发明提供了一种石墨烯‑金属纳米颗粒复合型透光导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：1）在透明基底表面沉积2‑10纳米的金属薄膜，由于表面能的存在，金属会在基底表面自发团聚形成纳米颗粒；2）制备石墨烯，将石墨烯转移至纳米颗粒表面，即可获得具...

本发明公开了一种基于复合衬底的石墨烯光电探测器，源极和漏极连接外部电源，单层石墨烯电子传输层设置在绝缘介质层之上；绝缘介质层下方设置栅电极层；所述漏极和栅电极层通过栅电源连接；所述栅电极层采用电导率为1‑10Ωcm的轻掺杂硅。该探测器在...

本发明提供了一种高导电型石墨‑烯树脂复合材料的制备方法，包括如下步骤：1）将天然鳞片石墨和无水氯化铁放入真空管内封闭，加热至320‑360oC，保持12‑48小时，获得氯化铁插层石墨；2）将步骤1）制备得到的氯化铁插层石墨与适量的双氧水...

本发明提供一种利用光学显微镜图片判断石墨烯层数率的方法，利用对比度值C做出概率分布图，将该对比度值C与理论计算的对比度值C0进行比较，分辨出石墨烯不同层对应的峰位置；将概率分布图进行拟合，拟合得到分别对应不同层数的多个峰，并得到峰面积；...

本发明提供了一种转移石墨烯薄膜的方法，包括如下步骤：1）利用CVD方法在铜箔上生长石墨烯薄膜；2）将配置好的PPC溶液利用旋涂法均匀覆盖在铜箔表面，室温下静置，然后加热使其凝固成膜；3)利用柔性聚合物材料将包含石墨烯薄膜的PPC薄膜从铜...

本发明提供了一种控制其表面生长的石墨烯的形核密度的方法，其特征在于，包括如下步骤：配制质量浓度为5-30%的双氧水；将铜箔浸泡其中，铜箔被双氧水氧化；然后用该预处理后的铜箔用于CVD生长石墨烯。所述的步骤2）中的浸泡时间为5-60s。相...

本发明提供了一种观测金属基底表面石墨烯形核及生长情况的方法，所述的方法包括如下步骤：1）配制质量浓度为10%-40%的双氧水溶液；2）将生长完石墨烯的金属基底浸泡在双氧水溶液中1-5分钟；3）取出金属基底，并在常温下静置干燥，然后光学显...