本发明提供了一种可抗ESD的深紫外发光二极管，其通过在本征层与电子注入层之间依次生长第一过渡层、第二过渡层以及第一半导体层，第一过渡层以及第二过渡层用于缓解电子注入层产生的压应力，第一半导体层用于对AlGaN结构进行过渡Si掺杂，以进一...

本发明提供一种深紫外LED外延片及其外延生长方法，上述外延生长方法在电子阻挡层生长完成后，首先在电子阻挡层上外延生长Mg掺杂的AlGaN层，其次在氮气和氧气的混合气氛下，对AlGaN层进行退火处理，以使AlGaN层中的Mg杂质与游离氢原...

本发明提供了一种具备复合阻挡结构的深紫外发光二极管，包括依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层；其中，电子阻挡层包括依次层叠设置的第一子层、复合半导体层和第二子层；第一子层以及第二子层均为AlGa...

本发明提供了一种具备复合欧姆接触结构的深紫外发光二极管及其生长方法，深紫外发光二极管包括依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及复合欧姆接触层，其中，复合欧姆接触层包括多个第一子层和多个第二子层交...

本发明提供了一种深紫外发光二极管及其制备方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，量子阱有源层包括交替设置的至少一个势阱层和至少两个势垒层，每个势阱层插入在两个相邻的势...

本发明首先提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，包括依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及电流扩展层，电流扩展层沿沉积方向依次包括第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；第一半导体层包括...

本发明通过提供一种用于深紫外发光二极管的

本申请涉及一种光取出层，所述光取出层包括层叠设置的：第一折射层，所述第一折射层包括至少一层蓝宝石层；第二折射层，所述第二折射层包括至少一层低折射层，所述低折射层的折射率介于所述第一折射层的整体折射率和空气的折射率之间

本发明通过提供一种用于深紫外发光二极管的

本发明通过提供一种适用于深紫外发光二极管的外延工艺恢复方法，该外延工艺恢复方法包括：首先，将经过外延工艺处理后的MOCVD设备中的基座转移至一烤盘炉的反应室内，其次，在反应室中通入氢气，并进行第一次加热烘烤处理，再次，在反应室中通入氯气...

本发明通过提供一种适用于深紫外发光二极管的外延工艺恢复方法，该外延工艺恢复方法包括：首先对经过外延工艺处理后的反应腔进行加热烘烤并通入氢气，之后在反应腔中通入镁源和氨气，以在反应腔的内壁上形成第一镀层，之后在反应腔中通入铝源、镁源和氨气...

本发明提供了一种深紫外发光二极管的制备方法和深紫外发光二极管，该制备方法包括：首先将双通阳极氧化铝模板转移至一深紫外发光二极管外延结构中远离衬底的一侧表面上，其次在双通阳极氧化铝模板上形成抗刻蚀层，随后剥离双通阳极氧化铝模板，再以抗刻蚀...

本发明提供一种发光二极管芯片的返工方法，方法包括：首先对待返工的发光二极管芯片进行一次清洗浸泡处理，之后对发光二极管芯片在氢气氛围内进行一次加热处理，之后对发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物，对发光二极管芯...

本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，电子注入层为数字合金结构，数字合金结构包括至少二种不同的二元化合物；本发明通过将数字合...

本发明提供一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的防翘曲层、衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，防翘曲层至少包括第一子层，第一子层的材料为氮...

本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层以及空穴注入层，量子阱有源层包括交替设置的至少一个势阱层和至少两个势垒层，每个势阱层插入在两个相邻...

本发明公开了一种紫外LED器件及其制作方法。通过发光区域刻蚀成槽，减少光子在外延层的全反射效应与局部热量聚集，并将反射结构制备在槽侧壁与底部，将光子尽可能反射到衬底的背面，提高了芯片的光提取效率与降低了器件的工作电压，延长了其使用寿命。...

本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型半导体层、量子阱有源层、电子阻挡层以及P型半导体层，其中，量子阱有源层远离N型半导体层的一侧表面为第一表面，第一表面上设置有多个第一微结构，每一第一微结构凹陷于第...

本发明提供了一种深紫外发光二极管，包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型半导体层、量子阱有源层、电子阻挡层以及P型半导体层，其中，量子阱有源层远离N型半导体层的一侧表面为第一表面，第一表面上设置有多个第一微结构，每一第一微结构凹陷于第...

本发明提供了一种深紫外发光二极管及其外延生长方法，深紫外发光二极管包括由下至上层叠设置的衬底、本征层、N型半导体层、量子阱有源层、电子阻挡层以及P型半导体层；其中，深紫外发光二极管还包括应力释放层，应力释放层设置于N型半导体层与量子阱有...