一种发光二极管芯片的返工方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管芯片的返工方法，方法包括：首先对待返工的发光二极管芯片进行一次清洗浸泡处理，之后对发光二极管芯片在氢气氛围内进行一次加热处理，之后对发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物，对发光二极管芯片在第二气体氛围内进行三次加热处理，以使发光二极管芯片中衬底的弯曲值小于预设值，最后对发光二极管芯片进行二次清洗浸泡处理；上述方法使经返工后的外延片的衬底的弯曲值降低，提高了深紫外发光二极管的外延片内波长以及亮度的均匀性，避免对外延片造成不可逆的损伤，使经返工后的外延片发光效果接近于正常外延片的发光效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管芯片的返工方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种发光二极管芯片的返工方法。

技术介绍

[0002]人们积极寻求一种杀菌效率高的方法，深紫外发光二极管产品应运而生，该产品在生物、医学、家用电器等多方面杀菌能力达到99.999％，能有效抑制病毒的传播。
[0003]深紫外发光二极管在芯片生产过程中存在一定比例的外延片未能达到预期的制程要求，如果直接报废会造成成本上升，因此需要对这些不佳的外延片进行制程返工工序，但目前没有较好的制程返工手段，其原因在于，一方面深紫外发光二极管在外延生长过程中使用了大量的含铝化合物，含铝化合物无法使用常规的氢气烘烤方式去除，另一方面，深紫外发光二极管通常的生长温度较高，会造成蓝宝石衬底出现较大程度的翘曲形变，如使用形变较大的衬底外延生长时，会极大地影响外延片的均匀性及良率。
[0004]因此，亟需一种发光二极管芯片的返工方法以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于，提供一种发光二极管芯片的返工方法，用于改善现有发光二极管芯片的返工方法的返工效率极低的技术问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种发光二极管芯片的返工方法，方法包括：
[0007]对待返工的发光二极管芯片进行一次清洗浸泡处理；
[0008]对发光二极管芯片在氢气氛围内进行一次加热处理；
[0009]对发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物；
[0010]对发光二极管芯片在第二气体氛围内进行三次加热处理，以使发光二极管芯片中衬底的弯曲值小于预设值；
[0011]对发光二极管芯片进行二次清洗浸泡处理。
[0012]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，对发光二极管芯片在氢气氛围内进行一次加热处理的步骤中，一次加热处理的加热温度大于或者等于800摄氏度，加热时间为1min～1000min。
[0013]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，对发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物的步骤中，第一气体为氯气，二次加热处理的加热温度大于或者等于850摄氏度，加热时间为1min～1000min。
[0014]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，对发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物的步骤中，第一气体为氯化氢，二次加热处理的加热温度大于或者等于950摄氏度，加热时间为1min～1000min。
[0015]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，对发光二极管芯片在第二气体氛围内进行三次加热处理，以使发光二极管芯片中衬底的弯曲值小于预设值的步骤中，第二气体为氢气与氮气组成的混合气体，三次加热处理的加热温度大于或者等于1500
摄氏度，加热时间为1min～1000min。
[0016]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，对发光二极管芯片进行二次清洗浸泡处理的步骤包括：
[0017]采用去离子水冲洗发光二极管芯片，并将发光二极管芯片返回进行制程工序。
[0018]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，对发光二极管芯片在第二气体氛围内进行三次加热处理，以使发光二极管芯片中衬底的弯曲值小于预设值的步骤中，第二气体为氢气、氮气以及氨气组成的混合气体，三次加热处理的加热温度大于或者等于1500摄氏度，加热时间为1min～1000min。
[0019]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，第二气体中氢气的体积流量为x，第二气体中氮气的体积流量为y，第二气体中氨气的体积流量为z，x、y以及z之间的关系满足：1≤x/y≤100且20≤x/z≤50。
[0020]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，对发光二极管芯片进行二次清洗浸泡处理的步骤包括：
[0021]S10，对发光二极管芯片进行一次酸浸泡处理；
[0022]S20，采用去离子水冲洗发光二极管芯片；
[0023]S30，重复S10步骤以及S20步骤，重复次数不低于2次，并将发光二极管芯片返回进行制程工序。
[0024]在本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法中，S10步骤中，采用1％～15％体积浓度的稀硝酸水溶液对发光二极管芯片进行浸泡处理，浸泡时间为5分钟。
[0025]本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供一种发光二极管芯片的返工方法，方法包括：首先对待返工的发光二极管芯片进行一次清洗浸泡处理，之后对发光二极管芯片在氢气氛围内进行一次加热处理，之后对发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物，对发光二极管芯片在第二气体氛围内进行三次加热处理，以使发光二极管芯片中衬底的弯曲值小于预设值，最后对发光二极管芯片进行二次清洗浸泡处理；上述方法通过一次清洗浸泡处理
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一次加热处理
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二次加热处理
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三次加热处理
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二次清洗浸泡处理的工艺，使经返工后的外延片的衬底的弯曲值降低，提高了深紫外发光二极管的外延片内波长以及亮度的均匀性，避免对外延片造成不可逆的损伤，使经返工后的外延片发光效果接近于正常外延片的发光效果，同时只需返工一次即可清洗干净待返工发光二极管外延片的表层结构，有效提高了返工效率，节省了返工成本。
附图说明
[0026]图1是本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片在正常发光时的结构示意图；
[0027]图2是本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片的返工方法的工艺流程图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0029]本专利技术提供一种发光二极管芯片100的返工方法，方法包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。
[0030]在一实施例中，如图1所示，为本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片100在正常发光时的结构示意图；图2是本专利技术实施例所提供的发光二极管芯片100的返工方法的工艺流程图；
[0031]请参阅图1以及图2，发光二极管芯片100的返工方法包括但不限于以下步骤。
[0032]S10，对待返工的发光二极管芯片100进行一次清洗浸泡处理。
[0033]具体地，S10还包括：
[0034]首先，提供一待返工的发光二极管芯片100，如图1所示，发光二极管芯片100包括长波紫外发光二极管芯片、中波紫外发光二极管芯片、短波紫外发光二极管芯片中的任意一种。其中，长波紫外光的波长范围在320nm至420nm之间，中波紫外光的波长范围在275nm至320nm之间，短波紫外光的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述方法包括：对待返工的发光二极管芯片进行一次清洗浸泡处理；对所述发光二极管芯片在氢气氛围内进行一次加热处理；对所述发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物；对所述发光二极管芯片在第二气体氛围内进行三次加热处理，以使所述发光二极管芯片中衬底的弯曲值小于预设值；对所述发光二极管芯片进行二次清洗浸泡处理。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述对所述发光二极管芯片在氢气氛围内进行一次加热处理的步骤中，所述一次加热处理的加热温度大于或者等于800摄氏度，加热时间为1min～1000min。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述对所述发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物的步骤中，所述第一气体为氯气，所述二次加热处理的加热温度大于或者等于850摄氏度，加热时间为1min～1000min。4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述对所述发光二极管芯片在第一气体氛围内进行二次加热处理，以去除含铝化合物的步骤中，所述第一气体为氯化氢，所述二次加热处理的加热温度大于或者等于950摄氏度，加热时间为1min～1000min。5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的返工方法，其特征在于，所述对所述发光二极管芯片在第二气体氛围内进行三次加热处理，以使所述发光二极管芯片中衬底的弯曲值小于预设值的步骤中，所述第二气体为氢气与氮气组成的混合气体，所述三次加热处...

【专利技术属性】
技术研发人员：张骏，岳金顺，张毅，陈景文，
申请(专利权)人：苏州紫灿科技有限公司，
类型：发明
国别省市：