苏州矽锡谷半导体科技有限公司专利技术

苏州矽锡谷半导体科技有限公司共有6项专利

  • 本实用新型属于晶体管运输技术领域,尤其是一种声效应功率晶体管运输装置,现提出如下方案,包括底盘、滑块、摆动杆、旋转杆、限位柱和旋转盘,所述底盘的顶部旋转连接有带动所述滑块滑动的螺纹杆,所述滑块的顶部固定连接有带动所述摆动杆摆动的第一滑动...
  • 本实用新型公开了一种声效应功率晶体管筛选装置,涉及筛选装置领域,包括筛选箱与晶体管检测座,所述筛选箱的上方设置有启动杆,且启动杆的左侧设置有连接杆,所述连接杆的左侧连接有转杆,且转杆的下方安装有扇叶,所述筛选箱的内侧安装有喷气枪,且喷气...
  • 本发明涉及一种半导体晶片的保护环构件及其形成方法,该方法包括以下步骤:在半导体晶片上设置多个保护环区域,接着在每个所述保护环区域中形成第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽,接着在所述第一沟槽中形成第一树脂层;接着在所述第二沟槽中形成层状纳米材...
  • 本发明涉及一种功率元件封装结构及其制备方法,该方法包括以下步骤:将功率元件安装在第一载板上,在功率元件上形成多个间隔设置的第一凹槽,在多个所述第一凹槽中分别形成多个第一导热柱,接着设置第一封装层,在所述功率元件上设置一电路板,在所述电路...
  • 本发明涉及一种堆叠封装结构及其制备方法,该方法包括:将半导体管芯安装在第一载体基板上,在半导体管芯上形成多个间隔设置的凹槽,在多个所述凹槽中分别形成多个导热柱,接着形成第一模塑封装层,在所述半导体管芯上形成一重布线电路层以及多个焊球,以...
  • 本发明涉及一种半导体芯片的切割方法,该方法包括以下步骤:在半导体晶圆上设置多个密封环区域,接着在每个所述密封环区域的上表面形成第一、第二凹槽并在其下表面形成第三、第四凹槽,将所述第三、第四凹槽朝向第一载板的方式设置所述半导体晶圆,并在所...
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