苏州昕皓新材料科技有限公司专利技术

苏州昕皓新材料科技有限公司共有15项专利

  • 本发明公开了一种提高硅太阳能电池中镍铜镀层与基底附着力的电镀工艺,包括选取用于制备具有良好导电性的金属镍层的电镀镍镀液体系;选取用于制备低内应力的电镀铜层的电镀铜镀液体系;然后利用上述电镀镍镀液体系、电镀铜镀液体系及对应电镀工艺,在硅太...
  • 本申请公开了一种弱碱电镀液及其应用,包括基础电镀液和添加剂,焦磷酸铜在基础电镀液中的浓度为50‑100g/L,焦磷酸钾在基础电镀液中的浓度为200‑380g/L,氨水在基础电镀液中的浓度为0.5‑8mL/L,焦磷酸调节基础电镀液的pH值...
  • 本申请公开了一种酸铜整平剂及其应用、铜电镀溶液及其制备方法。所述酸铜整平剂的分子结构式为:
  • 本申请公开了一种线圈的制备方法及线圈。该方法基于预处理的基板进行,基板包括基板主体和线圈单元,线圈单元的下端面固定在基板主体的上端面上,线圈单元包括铜线绕制而成的铜线圈,相邻两圈铜线之间填充有光阻,方法包括以下步骤:第一次电镀:利用第一...
  • 一种具有热力学各向异性的金属材料,Z轴方向的硬度和X、Y轴方向硬度存在明显的差异,Z轴方向的蚀刻量是X轴或Y轴方向的蚀刻量的2~5倍,Z轴方向热膨胀系数为50×10
  • 本发明公开了一种具有扭曲带状无序缠绕微观结构的电解铜箔及其制备方法,该电解铜箔的晶粒呈现出具有明显的扭曲带状无序缠绕结构,即具有长轴方向和短轴方向,且其长轴方向和短轴方向都存在一定程度的扭曲;该电解铜箔通过直流电镀工艺来制备,所需要的电...
  • 一种具有高择优取向的铜晶体颗粒及其制备方法
    本发明公开了一种具有高择优取向的铜晶体颗粒及其制备方法,其铜晶体颗粒为柱状晶粒,并呈现垂直于衬底方向的择优取向,该微观结构通过直流电镀来制备,所需要的电镀溶液包括基础溶液和镀铜添加剂两部分。本发明采用了普通的直流电镀,不需要脉冲电镀,能...
  • 制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法及其应用
    本发明公开了一种制备具有择优取向生长结构的电镀铜层的方法,属于半导体晶圆级封装领域。本发明的具有择优取向生长结构的铜层包括晶圆基底、粘附层、铜籽晶层和电镀铜层,所述电镀铜层具有Z轴择优取向生长结构。本发明利用传统的直流电镀技术采用非染料...
  • 应用于微电子的整平剂、整平剂组合物及其用于金属电沉积的方法
    本公开涉及一种用于电沉积金属的整平剂化合物。所述化合物为式(I)的化合物或其盐:
  • 一种应用于微电子的整平剂组合物及其用于金属电沉积的方法
    本公开涉及一种电沉积金属技术中用到的整平剂组合物。该组合物包含式(I)的化合物:
  • 本发明公开了一种山梨醇酐棕榈酸酯的应用,所述山梨醇酐棕榈酸酯应用于酸性镀铜工艺,以取代传统工艺中所使用的润湿剂、整平剂和光亮剂中的一种或两种。本发明通过对酸性镀铜工艺中的传统添加剂进行构效分析,寻求到山梨醇酐棕榈酸酯分子这一类具有多重性...
  • 本发明公开了一种酸铜整平剂的应用,所述酸铜整平剂的分子结构式如图。其中,阴离子X=Cl-或Br-;R1=O或S或N;R2,R3,R4=H、烷基、烯基、芳烷基、杂芳烷基、取代烷基、取代烯基、取代芳烷基或取代杂芳烷基中的一种;所述的酸铜整平...
  • 本发明公开了一种非染料系整平剂的应用,所述整平剂的分子结构式如图。其中阴离子X=Cl-或Br-;R1=O或S或N;R2,R3,R4=H、烷基、烯基、芳烷基、杂芳烷基、取代烷基、取代烯基、取代芳烷基或取代杂芳烷基中的一种,所述的整平剂应用...
  • 本发明公开了一种快速判断电镀添加剂性能的方法,本发明的方法是在含有同一份添加剂的镀液中进行多次无差别条件的电镀,通过比较连续几次电镀试样的外观形貌、电镀效率等参数来判断所用添加剂的稳定性。通过该方法的运用,可以快速地判断出不同的电镀添加...
  • 本发明公开了一种改进添加剂添加顺序的镀镍方法,该方法涉及半导体产品镀镍工艺。本发明的方法在电镀之前将补充剂与润湿剂混合搅拌均匀,然后将搅拌混合均匀的补充剂与润湿剂加入所述母液体系中,通过控制添加剂的加入顺序可以有效地改善镍镀层的质量,镍...
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